松島 裕一 | KDD研究所
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概要
関連著者
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松島 裕一
(株) Kddi研究所
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松島 裕一
KDD研究所
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松島 裕一
株式会社KDD研究所
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宇佐見 正士
KDD研究所
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鶴沢 宗文
KDD研究所
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坂田 治久
KDD研究所
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堀田 昌克
KDD研究所
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堀田 昌克
(株) Kdd研究所
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田中 信介
(株) Kddi研究所
-
田中 信介
KDD研究所
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長尾 康之
株式会社KDDI研究所
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宇高 勝之
早稲田大学理工学部
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長尾 康之
KDD研究所
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田中 英明
KDD研究所
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鈴木 正敏
(株)KDDI研究所
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鈴木 正敏
KDD研究所
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西村 公佐
KDD研究所
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宇高 勝之
KDD研究所
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高木 悟
Kdd研究所
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宇佐見 正士
(株)KDD研究所
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矢崎 智基
(株)KDDI研究所
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宇高 勝之
早稲田大学大学院理工学研究科
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山本 杲也
帝京科学大学
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多賀 秀徳
KDD研究所
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多賀 秀徳
ケイディディアイ海底ケーブルシステム株式会社
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多賀 秀徳
KDD海底ケーブルシステム株式会社
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矢崎 智基
KDD研究所
-
山本 杲也
KDD研究所
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高平 宜幸
KDD研究所
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宇高 勝之
早稲田大学
著作論文
- 光信号処理用の面型半導体デバイス
- B-10-62 可飽和吸収型雑音抑制素子の雑音抑制効果のシミュレーション
- C-3-91 半導体光アンプの非線形吸収による光ノイズ除去
- 半導体レーザアンプの非線形吸収を用いた光ノイズ除去
- 半導体レーザアンプの非線形吸収を用いた光ノイズ除去
- 半導体レーザアンプの非線形吸収を用いた光ノイズ除去
- 半導体レｰザアンプの非線形吸収を用いた光ノイズ除去
- 対称型三角バリア光スイッチ(S-TOPS)のメモリ特性
- 対称型三角バリア光スイッチ(S-TOPS)のメモリ特性
- 薄膜ストライプヒータ装荷型半導体光ADM素子の選択波長可変特性
- InGaAsP EA変調器のパイルアップ防止層と符号誤り率特性
- 直列集積化電気吸収型光変調器(TEAM)
- 逆方向結合積層導波路型半導体光ADM素子のサイドモード抑圧
- 逆方向結合積層導波路型半導体光ADM素子のサイドモード抑圧
- 逆方向結合垂直積層導波路を用いた光ADM用半導体素子
- 逆方向結合器フィルタ型アッド・ドロップ波長多重用素子
- 半導体光増幅器を用いた可飽和吸収動作の高速化
- 高感度InGaAs/InAlAs三角バリア光電子スイッチ
- 外部注入光による誘導放出を用いた超高速可飽和吸収素子の素子長依存性
- 外部注入光による誘導放出を用いた可飽和吸収素子の高速化
- 三角バリア光スイッチ(TOPS)を用いた論理動作
- ガスソースMBEによる 0.98μm InGaAs/InGaP DFB レーザの作製
- 共鳴トンネル三角バリア光スイッチ(R-TOPS)によるS字及びN字型負性抵抗の光制御
- InGaAsP EA変調器モジュールの温度依存性
- 高感度高利得光機能素子 : 三角バリア光スイッチ(TOPS)