逆方向結合積層導波路型半導体光ADM素子のサイドモード抑圧
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概要
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逆方向結合垂直積層導波路による波長フィルタを中心素子とする半導体光ADM素子のサイドモード抑圧比改善に関してグレーティング幅に窓関数を導入する方法を理論的、実験的に検討を行った。グレーティング幅に窓関数を導入した場合の素子特性を数値計算により求め、素子特性のグレーティング形状依存性を明らかにした。単純な直線関数でも30dB以上のサイドモード抑圧比が実現可能なことがわかった。レーザビーム直接描画法によりグレーティングを所望の形状にトリミングした素子で、サイドモード抑圧比18dBを得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-01-22
著者
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