OPE2000-34 / LQE2000-28 垂直積層InGaAsP埋込導波路を用いた光ADM素子の低クロストーク特性
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概要
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垂直積層InGaAsP埋込導波路構造を用いて半導体光ADM素子の偏光無依存化を図り、直交偏波間のフィルタピーク波長差が0.03nmと非常に低減できることを確認した。また、クロストーク特性改善のために深いInGaAsP/InP回折格子を積層導波路間に設けた素子を作製し、-36dBの低クロストークを実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-06-30
著者
-
松島 裕一
(株) Kddi研究所
-
松島 裕一
(株)KDD研究所
-
矢崎 智基
(株)KDDI研究所
-
田中 信介
(株) Kddi研究所
-
松島 裕一
株式会社KDD研究所
-
堀田 昌克
(株)KDD研究所
-
田中 信介
(株)KDD研究所
-
堀田 昌克
(株) Kdd研究所
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