逆方向結合垂直積層導波路を用いた光ADM用半導体素子
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概要
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逆方向結合垂直積層導波路による波長フィルタを中心素子とし, 狭帯域な波長選択特性と波長可変特性が期待てきる半導体ADM素子に関して, 素子設計のための理論的検討と試作した素子の基本特性を示した. 本構造を見通しよくシュミレーションできるモード結合力程式を導き, 数値計算により素子特性を見積もった. 計算によると, 0.2〜0.3 nmという非常に狭帯域な波長選択特性も実現可能であることがわかった. 素子を試作し, 結合長1mmの素子で半値全幅 0.7 nmという狭帯域なフィルタ特性が得られることを確認した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-10-31
著者
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