金融着法により作製したマイクロストリップInGaAsP/InP MQWレーザ
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
高出力、 広帯域な半導体レーザの実現を目指して、熱放散特性、高周波信号伝搬特性に優れたマイクロストリップレーザ(Microstrip laser: MSレーザ)という新たなレーザ構造を検討した。MS-レーザは下部クラッド層の直下に厚い金電極を有していることを特徴としている。本構造の作製工程を考案し、 試作した素子の諸特性を評価した。 ボンデイング工程及びその後のレーザプロセスが素子特性に悪影響を及ぼしていないことを、その閾値電流特性から確認した。また、CW発振特性、高周波信号伝搬実験から、本構造が従来の構造に比べて熱放散および高周波伝搬特性に関して優れていることを明らかにした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-07-25
著者
-
堀田 昌克
KDD研究所
-
堀田 昌克
(株) Kdd研究所
-
Tauber D.a.
Department of Electrical and Computer Engineering,University of California
-
Holmes Jr.A.L.
Department of Electrical and Computer Engineering,University of California
-
Miller B.I.
AT&T Bell Laboratories,Holmdel,NJ
-
Bowers J.E.
Department of Electrical and Computer Engineering,University of California
-
Miller B.i.
At&t Bell Laboratories Holmdel Nj
-
Tauber D.a.
Department Of Electrical And Computer Engineering University Of California
-
Bowers J.e.
Department Of Electrical And Computer Engineering University Of California
-
Holmes Jr.a.l.
Department Of Electrical And Computer Engineering University Of California
関連論文
- グレーティング・フィルタを用いたスプリッタ/ルータ
- C-3-86 逆方向結合交差導波路による半導体光ADM素子のサイドローブ抑圧
- C-3-126 半導体光アッド・ドロップ多重素子の動作波長範囲拡大
- OPE2000-34 / LQE2000-28 垂直積層InGaAsP埋込導波路を用いた光ADM素子の低クロストーク特性
- OPE2000-34 / LQE2000-28 垂直積層InGaAsP埋込導波路を用いた光ADM素子の低クロストーク特性
- C-3-110 垂直積層InGaAsP埋め込み導波路を用いた偏光無依存波長可変光ADM素子
- B-10-147 SOAを用いたWDM光アクセス方式の基礎検討
- SC-3-10 半導体光ADM素子を用いたチューナブル多重波長分離実験
- 薄膜ストライプヒータ装荷型半導体光ADM素子の選択波長可変特性
- B-10-72 WDM光アクセス方式における加入者宅光源の中央局からの波長制御
- InGaAsP EA変調器のパイルアップ防止層と符号誤り率特性
- B-10-64 リモート・ノードのAWGからの反射光を用いたWDM光アクセス方式の波長制御
- WDM光アクセス方式の波長制御に関する基礎検討
- 薄膜ストライプヒータ装荷型半導体光ADM素子の選択波長可変特性
- 逆方向結合積層導波路型半導体光ADM素子のサイドモード抑圧
- 逆方向結合積層導波路型半導体光ADM素子のサイドモード抑圧
- 逆方向結合垂直積層導波路を用いた光ADM用半導体素子
- 逆方向結合器フィルタ型アッド・ドロップ波長多重用素子
- InGaAsP EA変調器モジュールの温度依存性
- 金融着法により作製したマイクロストリップInGaAsP/InP MQWレーザ
- 波長可変多電極半導体レ-ザ