対称型三角バリア光スイッチ(S-TOPS)のメモリ特性
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概要
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波長1μm帯で動作する光機能素子である対称型三角バリア光スイッチ(S-TOPS)はS字型負性抵抗を両極性に有するが、今回新たなメモリ特性を実現したので報告する。素子はi-InP基板上にInGaAsで作製しバンド構造は対称型のn^+-i-δ p^+-i-n^+とした。素子の電流-電圧特性は正負両極性でヒステリシスを持つため、しいき値電圧を記憶内容とするメモリとして用いることができる。このメモリへの書き込み及び消去は電気及び光でも可能である、記憶内容は電源を切って両端を電気的に短絡しても一定時間保持している。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-12-18
著者
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