InGaAsP EA変調器のパイルアップ防止層と符号誤り率特性
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概要
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電気吸収型(EA)光変調器は、超高速のデータ信号変調用やソリトン通信の光パルス発生用として注目されている。InGaAsP EA変調器の場合、入力光の強度が大きいとInGaAsP/InPの界面で正孔がパイルアップし、消光比や周波数応答の低下が生じることを我々は報告してきた。今回、パイルアップ防止層と疑似ランダム(PN)変調時の符号誤り率(BER)特性の関係を詳細に検討したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-26
著者
-
松島 裕一
(株) Kddi研究所
-
鈴木 正敏
(株)KDDI研究所
-
鈴木 正敏
KDD研究所
-
多賀 秀徳
KDD研究所
-
多賀 秀徳
ケイディディアイ海底ケーブルシステム株式会社
-
多賀 秀徳
KDD海底ケーブルシステム株式会社
-
松島 裕一
KDD研究所
-
堀田 昌克
KDD研究所
-
田中 英明
KDD研究所
-
堀田 昌克
(株) Kdd研究所
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