対称型三角バリア光スイッチ(S-TOPS)のメモリ特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
波長1μm帯で動作する光機能素子である対称型三角バリア光スイッチ(S-TOPS)はS字型負性抵抗を両極性に有するが、今回新たなメモリ特性を実現したので報告する。素子はi-InP基板上にInGaAsで作製しバンド構造は対称型のn^+-i-δ p^+-i-n^+とした。素子の電流・電圧特性は正負両極性でヒステリシスを持つため、しきい値電圧を記憶内容とするメモリとして用いることができる。このメモリへの書き込み及び消去は電気及び光でも可能であり、記憶内容は電源を切って両端を電気的に短絡しても一定時間保持している。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-12-18
著者
関連論文
- JGN II光テストベットを用いた160Gbit/s OOK/DPSK光信号フィールド伝送実験(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- 海底光通信用980nm高出力半導体レーザーの開発
- B-10-69 22GHz帯FWAシステムにおける200kmSMF光IF伝送実験
- サービス・クラスを導入した光トランスポート・ネットワーク
- B-12-20 光ネットワークシステムにおけるFECフレームの利用
- B-12-15 光クロスコネクトにおけるマルチキャストに関する検討
- C-3-62 表面マイクロマシン技術によるビームスプリッタの検討
- 光クロスコネクトにおけるマルチキャストに関する検討
- 電界吸収型変調器によるNRZ信号波長変換特性
- 光クロスコネクトにおけるマルチキャストに関する検討
- 光クロスコネクトにおけるマルチキャストに関する検討
- JGN II光テストベットを用いた160Gbit/s OOK/DPSK光信号フィールド伝送実験(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- JGN II光テストベットを用いた160Gbit/s OOK/DPSK光信号フィールド伝送実験(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- C-4-17 電気吸収型光変調器の劣化
- グレーティング・フィルタを用いたスプリッタ/ルータ
- C-3-86 逆方向結合交差導波路による半導体光ADM素子のサイドローブ抑圧
- C-3-126 半導体光アッド・ドロップ多重素子の動作波長範囲拡大
- 光信号処理用の面型半導体デバイス
- OPE2000-34 / LQE2000-28 垂直積層InGaAsP埋込導波路を用いた光ADM素子の低クロストーク特性
- OPE2000-34 / LQE2000-28 垂直積層InGaAsP埋込導波路を用いた光ADM素子の低クロストーク特性
- B-10-62 可飽和吸収型雑音抑制素子の雑音抑制効果のシミュレーション
- C-3-110 垂直積層InGaAsP埋め込み導波路を用いた偏光無依存波長可変光ADM素子
- B-10-147 SOAを用いたWDM光アクセス方式の基礎検討
- SC-3-10 半導体光ADM素子を用いたチューナブル多重波長分離実験
- C-3-91 半導体光アンプの非線形吸収による光ノイズ除去
- 半導体レーザアンプの非線形吸収を用いた光ノイズ除去
- 半導体レーザアンプの非線形吸収を用いた光ノイズ除去
- 半導体レーザアンプの非線形吸収を用いた光ノイズ除去
- 半導体レｰザアンプの非線形吸収を用いた光ノイズ除去
- 三角バリア光スイッチ--光信号処理用の新しい面型光機能素子
- 対称型三角バリア光スイッチ(S-TOPS)のメモリ特性
- 対称型三角バリア光スイッチ(S-TOPS)のメモリ特性
- 薄膜ストライプヒータ装荷型半導体光ADM素子の選択波長可変特性
- InGaAsP EA変調器のパイルアップ防止層と符号誤り率特性
- 直列集積化電気吸収型光変調器(TEAM)
- 高速光変調器集積DFBレ-ザ
- 薄膜ストライプヒータ装荷型半導体光ADM素子の選択波長可変特性
- 逆方向結合積層導波路型半導体光ADM素子のサイドモード抑圧
- 逆方向結合積層導波路型半導体光ADM素子のサイドモード抑圧
- 逆方向結合垂直積層導波路を用いた光ADM用半導体素子
- 逆方向結合器フィルタ型アッド・ドロップ波長多重用素子
- 半導体光増幅器を用いた可飽和吸収動作の高速化
- 高感度InGaAs/InAlAs三角バリア光電子スイッチ
- 誘導放出を用いた半導体レーザ増幅器の非線形回復時間の短縮化
- 誘導放出を用いた半導体レーザ増幅器の非線形回復時間の短縮化
- 誘導放出を用いた半導体レーザ増幅器の非線形回復時間の短縮化
- 誘導放出を用いた半導体レーザ増幅器の非線形回復時間の短縮化
- 外部注入光による誘導放出を用いた超高速可飽和吸収素子の素子長依存性
- 外部注入光による誘導放出を用いた可飽和吸収素子の高速化
- 1.5μm帯LDアンプの非線形利得の波長依存性
- 三角バリア光スイッチ(TOPS)を用いた論理動作
- ガスソースMBEによる 0.98μm InGaAs/InGaP DFB レーザの作製
- 共鳴トンネル三角バリア光スイッチ(R-TOPS)によるS字及びN字型負性抵抗の光制御
- InGaAsP EA変調器モジュールの温度依存性
- 共鳴トンネル3角バリア光スイッチ(R-TOPS)--光信号処理用の新機能光スイッチング素子
- 高感度高利得光機能素子 : 三角バリア光スイッチ(TOPS)
- 光増幅器励起用0.98μm高出力半導体レ-ザ
- 並列光情報処理に適した空間光変調器
- ファイバグレーティングを用いた陸上高精度障害点評定方式
- WDM-PONにおけるインサービス光パス監視法
- 敷設済み光ケーブルに適した低パワー測定法による精密ラマン増幅利得測定(大容量光伝送システム, 超高速伝送技術, 光増幅技術, 一般)
- 敷設済み光ケーブルに適した低パワー測定法による精密ラマン増幅利得測定
- B-10-47 既設光ケーブル向けラマン利得測定法の一検討(B-10. 光通信システムB(光通信))
- B-10-39 管路光ケーブルにおける偏波モード分散の経時変動に関する一検討(B-10. 光通信システムA(線路))
- B-10-38 既設光ケーブルにおける異波長間PSP変動の関連についての一検討(B-10. 光通信システムA(線路))
- B-10-8 架空光ケーブルにおける PSP 変動の一検討
- 半導体導波路型非線形電気-光変換--光変調器を中心として (非線形光導波路材料とデバイス応用)
- 波長可変多電極半導体レ-ザ
- 選択波長可変半導体光ADM素子の多重波長分離特性