EID2000-28 PLD法で作製したZnO:Zn蛍光体薄膜の酸素欠陥量の制御
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概要
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PLD(Pulsed Laser Deposition)法を用いZnO:Zn蛍光体薄膜を作製し、発光分光法によりプルームの診断を行った。作製した薄膜はすべてZnO六方晶構造のc軸に配向しており、基板温度を変化させた時のPL発光強度から、基板温度は250℃付近が良いことがわかった。アニールや反応性ガスによる酸素欠陥濃度の制御は、現時点においては難しくかつ、著しい効果がないことがわかった。プルームの発光分光の結果から、発光強度の強いZnO:Zn蛍光体薄膜を得るためには、プルーム中のOとZnとの割合をモニタすることで、レーザフルーエンスと基板間距離をなどの成膜パラメータをコントロールすることが必要であると考えられる。
- 2000-06-30
著者
-
田中 省作
鳥取大学工学部
-
小林 洋志
鳥取大学工学部
-
大観 光徳
鳥取大学工学研究科電気電子工学専攻
-
筧 憲之介
鳥取大学 工学部 電気電子工学科
-
國本 崇
鳥取大学工学部電気電子工学科
-
筧 憲之介
鳥取大学工学部電気電子工学科
-
Daud Alias
鳥取大学工学部電気電子工学科
-
小林 洋志
鳥取大学
-
DAUD Alias
The author is with the Department of Electrical and Electronic Eng., Tottori University
-
Daud Alias
Department Of Physics University Of Malaya
-
國本 崇
徳島文理大学理工学部
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