単結晶圧電体onシリコン技術 : 直接接合型圧電デバイス
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概要
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我々は高周波電子部品の小型化の方法として、直接接合技術を用いた水晶onシリコン(QOS)デバイスの開発を行ってきた。今回、我々はニオブ酸リチウムやタンタル酸リチウムなどの単結晶圧電体とシリコンとの直接接合技術を開発した。更に、この技術を用いて、直接接合型圧電振動子を作成、評価したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
-
冨田 佳宏
松下電器産業(株)中央研究所
-
富田 佳宏
松下電器産業株式会社デバイス・エンジニアリング開発センター
-
冨田 佳宏
松下電器産業株式会社
-
岡野 哲之
株式会社 松下テクノリサーチ薄膜分析グループ
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南波 昭彦
松下電器産業株式会社デバイス・エンジニアリング開発センター
-
小掠 哲義
松下電器産業株式会社デバイス・エンジニアリング開発センター
-
江田 和生
松下電器産業(株)材料デバイス研究所
-
杉本 雅人
松下電器産業(株)材料デバイス研究所
-
岡野 哲之
松下テクノリサーチ
-
小椋 哲義
松下電器産業(株)材料デバイス研究所
-
岡野 哲之
(株)松下テクノリサーチ
-
江田 和生
松下電器産業株式会社デバイス・エンジニアリング開発センター
-
江田 和生
松下電器産業(株)デバイス・エンジニアリング開発センター
-
杉本 雅人
松下電器産業株式会社
-
冨田 佳宏
松下電器産業
-
小椋 哲義
松下電器産業(株)
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