岡野 哲之 | 株式会社 松下テクノリサーチ薄膜分析グループ

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概要

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関連著者

• 岡野 哲之

  株式会社 松下テクノリサーチ薄膜分析グループ

• 岡野 哲之

  松下テクノリサーチ

• 神前 隆

  株式会社松下テクノリサーチ半導体解析チーム

• 為藤 さよ子

  株式会社 松下テクノリサーチ薄膜分析グループ

• 藪内 康文

  株式会社松下テクノリサーチ

• 為藤 さよ子

  株式会社松下テクノリサーチ半導体解析チーム

• 岡野 哲之

  (株)松下テクノリサーチ

• 富田 佳宏

  松下電器産業株式会社デバイス・エンジニアリング開発センター

• 南波 昭彦

  松下電器産業株式会社デバイス・エンジニアリング開発センター

• 小掠 哲義

  松下電器産業株式会社デバイス・エンジニアリング開発センター

• 江田 和生

  松下電器産業(株)材料デバイス研究所

• 杉本 雅人

  松下電器産業(株)材料デバイス研究所

• 藪内 康文

  株式会社松下テクノリサ一チ

• 江田 和生

  松下電器産業株式会社デバイス・エンジニアリング開発センター

• 江田 和生

  松下電器産業(株)デバイス・エンジニアリング開発センター

• 岡野 哲之

  株式会社松下テクノリサーチ半導体解析チーム

• 杉本 雅人

  松下電器産業株式会社

• 神前 隆

  (株)松下テクノリサーチ

• 荒井 美奈

  株式会社松下テクノリサーチ半導体解析チーム

• 為藤 さよ子

  (株)松下テクノリサーチ

• 冨田 佳宏

  松下電器産業(株)中央研究所

• 冨田 佳宏

  松下電器産業株式会社

• 完山 正林

  エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社

• 神前 隆

  株式会社 松下テクノリサーチ薄膜分析グループ

• 藪内 康文

  株式会社 松下テクノリサーチ薄膜分析グループ

• 富田 佳宏

  松下電器産業

• 田口 豊

  松下電器産業株式会社デバイス・エンジニアリング開発センター

• 池田 勝

  松下電器産業(株)材料デバイス研究所

• 小椋 哲義

  松下電器産業(株)材料デバイス研究所

• 田口 豊

  松下電器産業 デバイス・エンジニアリング開セ

• 田口 豊

  松下電器産業株式会社デバイスエンジニアリング開発センター

• 藪内 康文

  (株)松下テクノリサーチ

• 冨田 佳宏

  松下電器産業

• 荒井 美奈

  (株)松下テクノリサーチ

• 藪内 康丈

  (株)松下テクノリサーチ

• 小掠 哲義

  松下電器産業株式会社システムエンジニアリングセンター

• 小椋 哲義

  松下電器産業(株)

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著作論文

• AlGaAs系化合物半導体におけるFIBダメージ層の評価
• 圧電材料の直接接合
• 単結晶圧電体onシリコン技術 : 直接接合型圧電デバイス
• EM-EDS 法による化合物半導体レーザの組成定量評価
• 半導体レーザの断面TEM観察:FIB試料作製法の検討
• V. デバイス, デバイス材料 半導体デバイスのPin-Point欠陥解析
• FIB-TEM試料におけるEDS定量化の検討

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