圧電材料の直接接合
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概要
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LiNbO3、LiTaO3などの単結晶圧電体の直接接合について報告する。LiNbO3、LiTaO3について、同じ基板同士、または異なる基板同士の表面を親水化処理して、重ね合せ熱処理を行うことにより、良好な直接接合の得られることを見い出した。また各種圧電体と半導体Siの組合せについても、同様にして良好な直接接合が得られることを見い出した。これらの接合界面の微細構造とその応用について報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-07-20
著者
-
富田 佳宏
松下電器産業株式会社デバイス・エンジニアリング開発センター
-
岡野 哲之
株式会社 松下テクノリサーチ薄膜分析グループ
-
富田 佳宏
松下電器産業
-
南波 昭彦
松下電器産業株式会社デバイス・エンジニアリング開発センター
-
小掠 哲義
松下電器産業株式会社デバイス・エンジニアリング開発センター
-
田口 豊
松下電器産業株式会社デバイス・エンジニアリング開発センター
-
江田 和生
松下電器産業(株)材料デバイス研究所
-
杉本 雅人
松下電器産業(株)材料デバイス研究所
-
池田 勝
松下電器産業(株)材料デバイス研究所
-
岡野 哲之
松下テクノリサーチ
-
田口 豊
松下電器産業 デバイス・エンジニアリング開セ
-
田口 豊
松下電器産業株式会社デバイスエンジニアリング開発センター
-
江田 和生
松下電器産業株式会社デバイス・エンジニアリング開発センター
-
江田 和生
松下電器産業(株)デバイス・エンジニアリング開発センター
-
杉本 雅人
松下電器産業株式会社
-
小掠 哲義
松下電器産業株式会社システムエンジニアリングセンター
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