ALIVH基板とSBB実装の高周波特性
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概要
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全てのレイヤーにIVH(インナーヴィアホール)が形成できるALIVH(Any Layer Inner Via Hole)基板とフリップチップ実装の1手法であるSBB(Stud Bump Bonding)実装の高速デジタル回路への応用を目的として、GHz帯における特性を3次元有限要素法によるシミュレーションおよび実測によって調べた。また実際の回路設計に使用できるようにヴィアホール、SBB実装部分の等価回路を導出した。その結果、ALIVH基板、SBB実装はGHz帯においても良好な特性を示し、高速デジタル回路へ適用可能であることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-12-10
著者
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岩城 秀樹
松下電器産業株式会社デバイス・エンジニアリング開発センター
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別所 芳宏
松下電器産業株式会社映像音響研究センター
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田口 豊
松下電器産業株式会社デバイス・エンジニアリング開発センター
-
江田 和生
松下電器産業(株)材料デバイス研究所
-
田口 豊
松下電器産業 デバイス・エンジニアリング開セ
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田口 豊
松下電器産業株式会社デバイスエンジニアリング開発センター
-
板垣 峰広
松下電器産業株式会社デバイス・エンジニアリング開発センター
-
別所 芳宏
松下電器産業株式会社デバイス・エンジニアリング開発センター
-
板垣 峰広
松下電器産業(株)デバイス・エンジニアリング開発センター
-
江田 和生
松下電器産業株式会社デバイス・エンジニアリング開発センター
-
江田 和生
松下電器産業(株)デバイス・エンジニアリング開発センター
-
板垣 峰広
松下電器産業 デバイス・エンジニアリング開セ
-
岩城 秀樹
松下電器産業(株)PE技術開発室
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