無収縮セラミック基板中の同時焼成大容量コンデンサの特性
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概要
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Ceramic substrates with buried capacitors were studied. Miss-matchings of sintering behaviors between substrate layer, capacitor layer and barrier layer were canceled by adapting zero X-Y shrinkage sintering method. Newly developed barrier layer of MgO-ZnO-PbO-CuO composition prevented a reaction between substrate layer and capacitor layer. By using these techniques, buried capacitance of 1μF/cm^2 have been developed.
- 2001-03-01
著者
-
井上 修
松下電器産業株式会社デバイスエンジニアリング開発センター
-
田口 豊
松下電器産業株式会社デバイス・エンジニアリング開発センター
-
井上 修
松下電器産業(株)中央研究所
-
田口 豊
松下電器産業 デバイス・エンジニアリング開セ
-
田口 豊
松下電器産業株式会社デバイスエンジニアリング開発センター
-
中谷 誠一
松下電器産業株式会社デバイスエンジニアリング開発センター
-
加藤 純一
松下電器産業株式会社デバイスエンジニアリング開発センター
-
井上 修
松下電器産業
-
中谷 誠一
松下電器産業 デバイス開発セ
-
井上 修
松下電器産業株式会社 デバイス・エンジニアリング開発センター
-
加藤 純一
松下電器産業(株)材料部品研究所
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