微分極性比較法によるLSIウェーハ多層パターンの自動外観検査
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概要
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LSIウェーハ多層パターンを対象に, 画像の明るさの違いや層間ずれを欠陥と誤認識することなく, 欠陥のみを検出する二つの方式を開発した. 一つは, 欠陥を明るさの違いではなくパターンの局所的な位置ずれと考え, この局所的な位置ずれによる不一致を検出するため, 比較する2枚の画像をそれぞれ微分し, 対応する画素においてその微分値の極性を比較し, 極性の不一致を検出する「微分極性比較アルゴリズム」である. 二つ目は, 多層パターンが本質的に有する層間ずれによる不一致を許容するため, 画像のマッチングにより得られる不一致の画素数に着目し, 層間ずれに対応したマッチング位置を選択し, 共通の不一致を欠陥として出力する「多重位置パターンマッチングアルゴリズム」である. これらのアルゴリズムを実際のLSIウェーハの多層パターンに適用し, 評価した結果, 明るさの違いや層間ずれの影響を受けることなく, 0.2μm以上の微小欠陥が検出できた. これにより, 開発したアルゴリズムの有効性が確認できた.
- 1999-01-25
著者
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前田 俊二
日立製作所生産技術研究所
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前田 俊二
(株)日立製作所生産技術研究所
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窪田 仁志
(株)日立ハイテクノロジーズデバイス製造装置事業統括本部
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広井 高志
日立製作所 生産技術研究所
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窪田 仁志
日立東京エレクトロニクス(株)電子装置事業部
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広井 高志
(株)日立製作所生産技術研究所
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前田 俊二
(株)日立製作所横浜研究所
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前田 俊二
(株)日立製作所 横浜研究所
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