複数パターン情報を利用した統計的はずれ値検出による微小欠陥の認識手法(テーマ関連セッション1)
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概要
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半導体ウェーハパターンの外観検査においては,規則的に形成されたパターンの明るさを比較し,その差が大きい部分を欠陥として検出するが,製造プロセスに起因して発生する正常パターンの明るさの違いも検出してしまう.そこで,複数のパターン情報を利用して,画像の散布図データの拡がりを抑制することにより,このような正常バターンの明るさ変動が発生する領域に埋没した微小欠陥を高感度に認識する手法を提案する.実験により,光学的に解像限界を超える微小欠陥の認識が可能となることを確認した.
- 一般社団法人情報処理学会の論文
- 2006-03-16
著者
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