高Q3次元MMICインダクタ
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概要
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本報告では3次元MMIC技術を用いた高Qオンチップインダクタを提案, 実現している.3次元MMICオンチップインダクタはSi, GaAs両ウエハ上に実現することができ, 3次元構造による寄生容量の低減とスバイラルパターンの積層化による直列抵抗の低減によりその最大Q値は世界最高レベルの性能を実現している.Si3次元MMICインダクタでは最大Q値52.8@1.38nH, GaAs3次元MMICインダクタでは最大Q値35.9@4.9nHを実現した.また, 3次元MMICインダクタの最適設計についてQ値の観点から指針を示した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-01-10
著者
-
西川 健二郎
NTT未来ねっと研究所
-
西川 健二郎
日本電信電話株式会社
-
中川 匡夫
日本電信電話株式会社NTT未来ねっと研究所
-
中川 匡夫
Ntt 未来ねっと研
-
Piernas B
Fujitsu Compound Semiconductor Inc.
-
ピエルナス ベリンダ
Ntt未来ねっと研究所
-
鴨川 健司
NTTドコモ株式会社
-
中川 匡夫
NTT未来ねっと研究所
-
荒木 克彦
NTT未来ねっと研究所
-
Belinda Piernas
Fujitsu Compound Semiconductor Inc
-
中川 匡夫
Fujitsu Compound Semiconductor Inc
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