小型ヘリカル遅延線路
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概要
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小型ならせん状の遅延線路を提案する。この線路はマイクロマシニング技術を用いてシリコン基板上に作成されたキャビティとその開口部に張られた誘電体膜からなる中空構造を用いて得られる。線路は微小ならせん状コイルとその1ターンごとに設けられた微小なコンデンサにより構成される。1ターンの大きさが波長に比べて非常に小さいため,40GHzの測定範囲では非常にフラットな遅延特性が得られ,かつ線路の大きさに比べて比較的大きなインダクタンス値と,キャパシタンス値によりGaAs基板上の典型的なCPW線路の4.6倍の遅延量が得られる。実験では,650μm(7ターン),1050μm(12ターン)および1450μm(17ターン)の遅延線路の試作を行い,30GHzにおいて1050μm線路は450度の遅延量と2.5dBの通過損失が得られた。
- 2004-05-07
著者
-
高木 直
東北大学電気通信研究所
-
高木 直
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
西野 有
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
李 相錫
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
吉田 幸久
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
吉田 幸久
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
-
吉田 幸久
三菱電機(株)
-
Lee Sang-Seok
三菱電機(株) 先端技術総合研究所
-
Lee Sang‐seok
三菱電機
-
宮崎 守泰
三菱電機(株)
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