β-SiCウイスカー中の積層欠陥(<特集>セラミックスの微細構造)
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概要
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β-SiC whiskers were grown at about 1300℃ by the reaction of silicon powder and propylene in a flowing hydrogen atmosphere containing a few percent of hydrogen sulfide. The whiskers with the growth direction [111] were examined by TEM and SEM. Stacking faults observed in the whisker are classified into two types; one has the (111) fault plane perpendicular to the growth direction and the other has fault planes parallel to the (111), (111) and (111) which are not perpendicular to the growth direction. It is likely that these two types of faults have a correlation with the difference in morphology of whiskers. Their fault vector was shown to be 1/3<111> by the g･b=0 criterion.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 1986-08-01
著者
-
勝木 宏昭
Department of Materials Science and Engineering, Faculty of Engineering, Nagasaki University
-
柴田 昇
長崎大教養
-
江頭 誠
長崎大学工学部材料工学科
-
江頭 誠
長崎大学工学部
-
岩永 浩
長崎大学教養部
-
柴田 昇
長崎大学教養部
-
勝木 宏昭
長崎大学工学部材料工学科
-
勝木 宏昭
Department Of Materials Science And Engineering Faculty Of Engineering Nagasaki University
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