柴田 昇 | 長崎大教養
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概要
関連著者
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柴田 昇
長崎大教養
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岩永 浩
長崎大教養
-
義家 敏正
長崎大教養
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山口 多恵子
長崎大教養
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山口 多恵子
長崎大学教養部
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冨塚 明
長崎大教養
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富塚 明
長崎大
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鈴木 邦夫
東大生研
-
鈴木 邦夫
東大物性研
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竹内 伸
東大物性研
-
市原 正樹
東大物性研
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望月 勝美
東北大工
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富塚 明
長崎大学環境科学部
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藤井 光広
長崎総科大
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勝木 宏昭
Department of Materials Science and Engineering, Faculty of Engineering, Nagasaki University
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岩永 浩
長崎大・教養
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柴田 昇
長崎大・教養
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江頭 誠
長崎大学工学部材料工学科
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江頭 誠
長崎大学工学部
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岩永 浩
長崎大学教養部
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柴田 昇
長崎大学教養部
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勝木 宏昭
Department Of Materials Science And Engineering Faculty Of Engineering Nagasaki University
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前原 一典
長崎総科大
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勝木 宏昭
長崎大学工学部材料工学科
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田中 明和
住友金属鉱山(株)電子材料研究所
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岩水 浩
長崎大教養
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市原 正樹
物性研
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小川 博司
佐賀大理工
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庄司 忠良
東北工業大学
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義家 敏正
北大工
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黒瀬 勉
城西歯科大
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藤井 光廣
長崎総科大
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田中 明和
住友金属鉱山株式会社電子事業本部技術センター
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井垣 謙三
東北大工
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鈴木 邦夫
東大物生研
-
市原 正樹
東大物生研
-
竹内 伸
東大物生研
-
江頭 誠
長崎大工
-
冨塚 明
長崎大・教養
-
庄司 忠良
東北工大
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元島 栖二
岐阜大工
-
疋田 春水
城西歯科大
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勝木 宏昭
長崎大・工
-
江頭 誠
長崎大・工
-
岩永 治
長崎大教養
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西尾 光弘
佐賀大理工
-
広松 一男
三菱重工長研
著作論文
- 5a-Q-5 電場中で成長したCdS双晶
- CuCl結晶の成長に及ぼす電場の影響
- CuBrの双晶
- 4a-Q-4 ZnSe,ZnTe{100}面上のetch pitと極性の判定
- 27a-S-10 GaAs針状結晶のモルフォロジーと極性
- 折れ曲がったGaAs針状結晶の柱面
- 回転双晶を含むCdTe結晶の劈開面上のエッチピットと極性
- GaAs針状結晶のモルフォロジーと極性
- SnO_2ウィスカーのモルフォロジー
- 27a-S-9 SnO_2結晶のくりかえし双晶
- SnO_2ウィスカーのモルフォロジー : モルフォロジー
- テルル櫛状結晶のモルフォロジー : モルフォロジー
- 六方晶BN中の転位
- Te結晶のモルフォロジ-
- SEMによる結晶ファセット間の面角測定法
- 28a-J-8 テルル櫛状結晶の成長過程
- β-SiCウイスカー中の積層欠陥(セラミックスの微細構造)
- CdTe (115)_A, (115^^-)_B面上のエッチピット
- β-SiC whisker中の積層欠陥
- GaPホイスカ-の折れ曲がり
- CdTe, HgSe, HgTe結晶{100}面上のetch-pitのfacetと極性の判定 : モルフォロジーI
- 5a-NJ-4 HVEMによるII-VI化合物の電子線照射損傷
- 2a-G-1 電子照射したCdS, ZnO中の転位ループ
- 31a GH-4 II-VI化合物のHVEMによる照射損傷
- 29a-T-10 ZnO, CdS, CdSeにおけるhollow結晶の成長機構
- 29a-T-9 CdSe, ZnO結晶成長におよぼす電場の影響
- 11a-N-9 II-VI化合物の電顕試料作製法
- 30a-F-8 CdTe結晶面上のetch pitの成長過程
- 2a-B-3 C軸のまわりに回転したZnO板状結晶の極性
- 5p-NR-10 II-VI化合物の双晶
- ZnO双晶ホロー結晶の成長機構 : モルフォロジー
- 1a-U-8 成長条件によるCdS結晶の極性
- 4a-C-5 CdS結晶成長におよぼす電場の影響
- II-VI族化合物ホロー結晶の成長機構 : II-VI化合物半導体
- CdS結晶成長におよぼす電場の影響
- 2p GN-8 CdS結晶成長に対するCdまたはS添加の影響
- 5a-DQ-1 HVEMによるZnO結晶の照射損傷
- 5p-M-3 ZnO結晶のPrismatic fault plane上の転位ループ形成
- 7a-Q-3 ZnO結晶に於ける転位の運動
- 5p-M-11 ZnO結晶中の積層欠陥の透過電顕観察
- 4a-I-2 CuClのmorphologyと極性
- 4a-I-1 CdS双晶結晶とその極性
- CuClのmorphologyと極性
- 1p-KD-10 CdTeとZnTeのmorphologyと極性
- ZnSeの成長方向の極性とその決定法 : 評価
- 28a-F-2 ZnSeの成長方向の極性とその決定法
- II-VI族化合物のc方向成長と極性 : 気相成長
- 6a-AG-4 ウルツ型結晶のC方向成長と極性
- 28a-F-9 GaAs(111)面上のZnSe結晶のモルフォロジー(結晶成長)
- 29a-Q-4 CrSi,CrFeSi系のホロー結晶(29aQ 結晶成長)
- 29a-Q-5 Cu-ハライド結晶の成長に及ぼす電場の影響(29aQ 結晶成長)
- 1a-A6-5 etch-pit facetの決定(1a A6 結晶成長,結晶成長)
- 30p-CB-5 CdTe{115}面上のエッチピット(30p CB 結晶成長)