SnO_2ウィスカーのモルフォロジー : モルフォロジー
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
転写印刷法により作製した WO_3 系半導体ガスセンサの NO_X 検知特性
-
2p-C-1 II-VI族化合物半導体中の転位の電顕観察
-
マクロポーラス金属膜との複合化によるリチウムイオン2 次電池用Sn 負極活物質の高性能化
-
陽極酸化薄膜を用いたガスセンサ (特集 化学センサの新展開)
-
4p-Z-12 準結晶の機械的性質
-
28a-ZG-2 双晶関係にあるテトラポット状ZnO結晶
-
2a-TB-1 繊維状マグネシウム化合物のモルフォロジーと特性
-
5a-Q-5 電場中で成長したCdS双晶
-
CuCl結晶の成長に及ぼす電場の影響
-
28a-RC-7 CuBr単結晶の光塑性効果
-
28a-J-9 SnO_2ウィスカーのモルフォロジー
-
CuBrの双晶
-
4a-Q-4 ZnSe,ZnTe{100}面上のetch pitと極性の判定
-
銅マイクロファイバーの導電性ペーストへの応用
-
27a-S-10 GaAs針状結晶のモルフォロジーと極性
-
4a-Q-2 GaPウィスカーのモルフォロジーと双晶
-
GaP whiskerのmorphologyと回転双晶 : モルフォロジーI
-
折れ曲がったGaAs針状結晶の柱面
-
回転双晶を含むCdTe結晶の劈開面上のエッチピットと極性
-
GaAs針状結晶のモルフォロジーと極性
-
SnO_2ウィスカーのモルフォロジー
-
27a-S-9 SnO_2結晶のくりかえし双晶
-
SnO_2ウィスカーのモルフォロジー : モルフォロジー
-
テルル櫛状結晶のモルフォロジー : モルフォロジー
-
六方晶BN中の転位
-
Te結晶のモルフォロジ-
-
SEMによる結晶ファセット間の面角測定法
-
28a-J-8 テルル櫛状結晶の成長過程
-
β-SiCウイスカー中の積層欠陥(セラミックスの微細構造)
-
CdTe (115)_A, (115^^-)_B面上のエッチピット
-
β-SiC whisker中の積層欠陥
-
GaPホイスカ-の折れ曲がり
-
セラミックマイクロコイルの気相合成とその特性
-
Preparation of macroporous semiconductor gas sensors and their odur sensing properties (特集 VOCガスのセンシング)
-
Preparation of macroporous Eu-doped oxide thick films and their application to gas sensor materials (特集 VOCガスのセンシング)
-
メソ・マクロポーラス材料を利用した半導体ガスセンサ (特集 化学センサの新展開)
-
CdTe, HgSe, HgTe結晶{100}面上のetch-pitのfacetと極性の判定 : モルフォロジーI
-
3a-X-5 SnO_2双晶ウィスカー
-
14p-L-3 II-VI化合物の積層欠陥エネルギー
-
5a-NJ-4 HVEMによるII-VI化合物の電子線照射損傷
-
2a-G-1 電子照射したCdS, ZnO中の転位ループ
-
31a GH-4 II-VI化合物のHVEMによる照射損傷
-
12a-DK-1 (112^^-2)双晶によるテトラポッド型ZnO粒子の脚間の角度と極性との関係
-
27aB4 (112^^-2)双晶によるテトラポッド型ZnO粒子の脚間の角度と極性との関係(基礎I)
-
29p-ZN-4 テトラポット状ZnO粒子の成長機構
-
陽イオン交換による生成物の結晶成長 : モルフォロジーI
-
扇状マグネシウム化合物結晶の形態と特性 : モルフォロジーI
-
SnO_2 twinのモルフォロジーと転移 : モルフォロジー
-
29a-T-10 ZnO, CdS, CdSeにおけるhollow結晶の成長機構
-
29a-T-9 CdSe, ZnO結晶成長におよぼす電場の影響
-
テトラポット状ZnO粒子の成長機構 : モルフォロジーI
-
リン化物ウィスカーの合成とモルフォロジー : 気相成長II
-
吸着燃焼式マイクロガスセンサ (特集 化学センサの新展開)
-
Synergistic Effect of Pt-Loading and Mesoporous SnO_2 Layer-Coating on the Gas Sensing Properties of SnO_2 Thick Film Sensors
-
リチウムイオン2次電池アノードに利用可能な酸化スズ系材料の開発
-
半導体ガスセンサの高性能化
-
Effect of Simultaneous Modification with Metal Loading and Mesoporous Layer on H2 Sensing Properties of SnO2 Thick Film Sensors (特集:悪臭・環境汚染センシング技術)
-
マイクロ波誘起プラズマによる環境汚染物質の分解 (特集 新技術を拓くマイクロ波)
-
マクロポーラスPt膜電極の調製
-
トリブロックコポリマーを用いた熱安定性メソポーラスSnO_2粉末の調製
-
実用化へのナノ粒子ナノ粒子を用いた半導体ガスセンサー材料
-
液相でのマイクロ波誘起プラズマによる有機化合物の分解
-
ナノ粒子を用いた半導体ガスセンサー材料 (特集 高機能性ナノ粒子の実用化)
-
セラミックガスセンサー最前線 (特集 センサ材料・センシング技術最前線)
-
大気圧下でSiCセラミックスから発生するマイクロ波誘導プラズマによる塩素化芳香族の分解
-
11a-N-9 II-VI化合物の電顕試料作製法
-
30a-F-8 CdTe結晶面上のetch pitの成長過程
-
2a-B-3 C軸のまわりに回転したZnO板状結晶の極性
-
5p-NR-10 II-VI化合物の双晶
-
ZnO双晶ホロー結晶の成長機構 : モルフォロジー
-
1a-U-8 成長条件によるCdS結晶の極性
-
4a-C-5 CdS結晶成長におよぼす電場の影響
-
II-VI族化合物ホロー結晶の成長機構 : II-VI化合物半導体
-
CdS結晶成長におよぼす電場の影響
-
2p GN-8 CdS結晶成長に対するCdまたはS添加の影響
-
5a-DQ-1 HVEMによるZnO結晶の照射損傷
-
5p-M-3 ZnO結晶のPrismatic fault plane上の転位ループ形成
-
7a-Q-3 ZnO結晶に於ける転位の運動
-
5p-M-11 ZnO結晶中の積層欠陥の透過電顕観察
-
ZnSe/GaAs(111) 結晶の回転双晶 : エピタキシーII
-
4a-I-2 CuClのmorphologyと極性
-
4a-I-1 CdS双晶結晶とその極性
-
CuClのmorphologyと極性
-
1p-KD-10 CdTeとZnTeのmorphologyと極性
-
4a-M-5 HgSe単結晶の塑性
-
Se, Se-As溶媒から成長したZnSe結晶のmorphologyと極性 : モルフォロジーI
-
ZnSeの成長方向の極性とその決定法 : 評価
-
28a-F-2 ZnSeの成長方向の極性とその決定法
-
30a-A-6 マイクロばね状セラミックス・ファイバーの機械的特性
-
II-VI族化合物のc方向成長と極性 : 気相成長
-
6a-AG-4 ウルツ型結晶のC方向成長と極性
-
28a-ZG-1 SiC極性面上に成長した2次粒子 II
-
SiC焼結体に見られる双晶 : 評価I
-
25a-B-4 SiC極性面上に成長した2次粒子
-
28a-F-9 GaAs(111)面上のZnSe結晶のモルフォロジー(結晶成長)
-
29a-Q-4 CrSi,CrFeSi系のホロー結晶(29aQ 結晶成長)
-
29a-Q-5 Cu-ハライド結晶の成長に及ぼす電場の影響(29aQ 結晶成長)
-
1a-A6-5 etch-pit facetの決定(1a A6 結晶成長,結晶成長)
-
30p-CB-5 CdTe{115}面上のエッチピット(30p CB 結晶成長)
-
30p-CB-6 GaPホィスカーの回転双晶(II)(30p CB 結晶成長)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク