扇状マグネシウム化合物結晶の形態と特性 : モルフォロジーI
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 日本結晶成長学会の論文
- 1991-07-25
著者
関連論文
- 2p-C-1 II-VI族化合物半導体中の転位の電顕観察
- 4p-Z-12 準結晶の機械的性質
- 28a-ZG-2 双晶関係にあるテトラポット状ZnO結晶
- 2a-TB-1 繊維状マグネシウム化合物のモルフォロジーと特性
- 5a-Q-5 電場中で成長したCdS双晶
- 28a-RC-7 CuBr単結晶の光塑性効果
- 28a-J-9 SnO_2ウィスカーのモルフォロジー
- 4a-Q-4 ZnSe,ZnTe{100}面上のetch pitと極性の判定
- 27a-S-10 GaAs針状結晶のモルフォロジーと極性
- 4a-Q-2 GaPウィスカーのモルフォロジーと双晶
- GaP whiskerのmorphologyと回転双晶 : モルフォロジーI
- 回転双晶を含むCdTe結晶の劈開面上のエッチピットと極性
- GaAs針状結晶のモルフォロジーと極性
- 27a-S-9 SnO_2結晶のくりかえし双晶
- SnO_2ウィスカーのモルフォロジー : モルフォロジー
- テルル櫛状結晶のモルフォロジー : モルフォロジー
- 28a-J-8 テルル櫛状結晶の成長過程
- セラミックマイクロコイルの気相合成とその特性
- CdTe, HgSe, HgTe結晶{100}面上のetch-pitのfacetと極性の判定 : モルフォロジーI
- 3a-X-5 SnO_2双晶ウィスカー
- 14p-L-3 II-VI化合物の積層欠陥エネルギー
- 5a-NJ-4 HVEMによるII-VI化合物の電子線照射損傷
- 31a GH-4 II-VI化合物のHVEMによる照射損傷
- 12a-DK-1 (112^^-2)双晶によるテトラポッド型ZnO粒子の脚間の角度と極性との関係
- 27aB4 (112^^-2)双晶によるテトラポッド型ZnO粒子の脚間の角度と極性との関係(基礎I)
- 29p-ZN-4 テトラポット状ZnO粒子の成長機構
- 扇状塩基性硫酸マグネシウムの成長機構とその特性
- 陽イオン交換による生成物の結晶成長 : モルフォロジーI
- 扇状マグネシウム化合物結晶の形態と特性 : モルフォロジーI
- 扇状マグネシウム化合物の形態と特性
- SnO_2 twinのモルフォロジーと転移 : モルフォロジー
- 29a-T-10 ZnO, CdS, CdSeにおけるhollow結晶の成長機構
- 29a-T-9 CdSe, ZnO結晶成長におよぼす電場の影響
- テトラポット状ZnO粒子の成長機構 : モルフォロジーI
- リン化物ウィスカーの合成とモルフォロジー : 気相成長II
- 気流式反応装置の開発 (新しい開発技術の展開)
- 11a-N-9 II-VI化合物の電顕試料作製法
- 30a-F-8 CdTe結晶面上のetch pitの成長過程
- 2a-B-3 C軸のまわりに回転したZnO板状結晶の極性
- 5p-NR-10 II-VI化合物の双晶
- ZnO双晶ホロー結晶の成長機構 : モルフォロジー
- 4a-C-5 CdS結晶成長におよぼす電場の影響
- II-VI族化合物ホロー結晶の成長機構 : II-VI化合物半導体
- 2p GN-8 CdS結晶成長に対するCdまたはS添加の影響
- 5a-DQ-1 HVEMによるZnO結晶の照射損傷
- 5p-M-3 ZnO結晶のPrismatic fault plane上の転位ループ形成
- 7a-Q-3 ZnO結晶に於ける転位の運動
- 5p-M-11 ZnO結晶中の積層欠陥の透過電顕観察
- ZnSe/GaAs(111) 結晶の回転双晶 : エピタキシーII
- 4a-I-2 CuClのmorphologyと極性
- 4a-I-1 CdS双晶結晶とその極性
- CuClのmorphologyと極性
- 1p-KD-10 CdTeとZnTeのmorphologyと極性
- 4a-M-5 HgSe単結晶の塑性
- Se, Se-As溶媒から成長したZnSe結晶のmorphologyと極性 : モルフォロジーI
- ZnSeの成長方向の極性とその決定法 : 評価
- 28a-F-2 ZnSeの成長方向の極性とその決定法
- 30a-A-6 マイクロばね状セラミックス・ファイバーの機械的特性
- 繊維状マグネシウム化合物「モスハイジ」の特性・機能とその用途
- II-VI族化合物のc方向成長と極性 : 気相成長
- 6a-AG-4 ウルツ型結晶のC方向成長と極性
- 特集「人造鉱物繊維（ＭＭＭＦ）」 ウィスカーの製造と工業的利用 繊維状硫酸マグネシウム化合物を例として
- 28a-ZG-1 SiC極性面上に成長した2次粒子 II
- SiC焼結体に見られる双晶 : 評価I
- 25a-B-4 SiC極性面上に成長した2次粒子
- タイトル無し
- 28a-F-9 GaAs(111)面上のZnSe結晶のモルフォロジー(結晶成長)
- 29a-Q-4 CrSi,CrFeSi系のホロー結晶(29aQ 結晶成長)
- 29a-Q-5 Cu-ハライド結晶の成長に及ぼす電場の影響(29aQ 結晶成長)
- 1a-A6-5 etch-pit facetの決定(1a A6 結晶成長,結晶成長)
- 30p-CB-5 CdTe{115}面上のエッチピット(30p CB 結晶成長)
- 30p-CB-6 GaPホィスカーの回転双晶(II)(30p CB 結晶成長)