回転双晶を含むCdTe結晶の劈開面上のエッチピットと極性

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 日本結晶成長学会の論文
• 1988-07-10

著者

• 庄司 忠良

  東北工業大学

• 柴田 昇

  長崎大教養

• 岩永 浩

  長崎大教養

• 庄司 忠良

  東北工大

関連論文

• 臭化タリウム(TlBr)結晶を用いた直接変換型半導体ガンマ線検出器の現状(酸化物結晶成長とシンチレータへの応用)
• 2p-C-1 II-VI族化合物半導体中の転位の電顕観察
• 4p-Z-12 準結晶の機械的性質
• 28a-ZG-2 双晶関係にあるテトラポット状ZnO結晶
• 2a-TB-1 繊維状マグネシウム化合物のモルフォロジーと特性
• 5a-Q-5 電場中で成長したCdS双晶
• CuCl結晶の成長に及ぼす電場の影響
• 28a-RC-7 CuBr単結晶の光塑性効果
• 28a-J-9 SnO_2ウィスカーのモルフォロジー
• CuBrの双晶
• 4a-Q-4 ZnSe,ZnTe{100}面上のetch pitと極性の判定
• 27a-S-10 GaAs針状結晶のモルフォロジーと極性
• 4a-Q-2 GaPウィスカーのモルフォロジーと双晶
• GaP whiskerのmorphologyと回転双晶 : モルフォロジーI
• 30a-KM-12 (p, to)反応断面積絶対値の系統性
• 30p-A-10 ^As (p, t)^As反応による^Asの核構造
• ヨウ化ビスマス(BiI_)結晶を用いた放射線検出器の製作
• TlBr放射線検出器の電荷輸送特性
• 折れ曲がったGaAs針状結晶の柱面
• 回転双晶を含むCdTe結晶の劈開面上のエッチピットと極性
• GaAs針状結晶のモルフォロジーと極性
• SnO_2ウィスカーのモルフォロジー
• 27a-S-9 SnO_2結晶のくりかえし双晶
• SnO_2ウィスカーのモルフォロジー : モルフォロジー
• テルル櫛状結晶のモルフォロジー : モルフォロジー
• 六方晶BN中の転位
• Te結晶のモルフォロジ-
• SEMによる結晶ファセット間の面角測定法
• 28a-J-8 テルル櫛状結晶の成長過程
• β-SiCウイスカー中の積層欠陥(セラミックスの微細構造)
• CdTe (115)_A, (115^^-)_B面上のエッチピット
• β-SiC whisker中の積層欠陥
• GaPホイスカ-の折れ曲がり
• セラミックマイクロコイルの気相合成とその特性
• 臭塩化タリウム(TlBrxCl1-x)結晶を用いた放射線検出器の製作
• 臭化タリウム半導体放射線検出器
• 化合物半導体(TlBr, PbI_2, BiI_3)を用いた放射線検出器
• 3a-T-13 ^A(p,t)^A反応
• CdTe, HgSe, HgTe結晶{100}面上のetch-pitのfacetと極性の判定 : モルフォロジーI
• 3a-X-5 SnO_2双晶ウィスカー
• 14p-L-3 II-VI化合物の積層欠陥エネルギー
• 5a-NJ-4 HVEMによるII-VI化合物の電子線照射損傷
• 2a-G-1 電子照射したCdS, ZnO中の転位ループ
• 31a GH-4 II-VI化合物のHVEMによる照射損傷
• 12a-DK-1 (112^^-2)双晶によるテトラポッド型ZnO粒子の脚間の角度と極性との関係
• 27aB4 (112^^-2)双晶によるテトラポッド型ZnO粒子の脚間の角度と極性との関係(基礎I)
• 29p-ZN-4 テトラポット状ZnO粒子の成長機構
• 陽イオン交換による生成物の結晶成長 : モルフォロジーI
• 扇状マグネシウム化合物結晶の形態と特性 : モルフォロジーI
• 臭化タリウムγ線検出器のモンテカルロ法を用いたシミュレ-ションプログラムの開発
• SnO_2 twinのモルフォロジーと転移 : モルフォロジー
• 29a-T-10 ZnO, CdS, CdSeにおけるhollow結晶の成長機構
• 29a-T-9 CdSe, ZnO結晶成長におよぼす電場の影響
• TlBr光検出器によるシンチレーション光の検出 (特集 「第10回放射線夏の学校」)
• テトラポット状ZnO粒子の成長機構 : モルフォロジーI
• 14a-Q-2 Sn119mメスパウアープローヴによるシリコン中の錫・空孔対同定
• 5a-KM-12 UO_2中のNp237メスバウアープローブ(U237親核)
• 23p-L-13 Si、Ge中のSn^メスバウアープローヴ
• 23p-L-12 Co^、Sn^メスバウアープローヴによるGaAs、Siの放射線損傷検出
• リン化物ウィスカーの合成とモルフォロジー : 気相成長II
• 11a-N-9 II-VI化合物の電顕試料作製法
• 30a-F-8 CdTe結晶面上のetch pitの成長過程
• 2a-B-3 C軸のまわりに回転したZnO板状結晶の極性
• 5p-NR-10 II-VI化合物の双晶
• ZnO双晶ホロー結晶の成長機構 : モルフォロジー
• 1a-U-8 成長条件によるCdS結晶の極性
• 4a-C-5 CdS結晶成長におよぼす電場の影響
• II-VI族化合物ホロー結晶の成長機構 : II-VI化合物半導体
• CdS結晶成長におよぼす電場の影響
• 2p GN-8 CdS結晶成長に対するCdまたはS添加の影響
• 5a-DQ-1 HVEMによるZnO結晶の照射損傷
• 5p-M-3 ZnO結晶のPrismatic fault plane上の転位ループ形成
• 7a-Q-3 ZnO結晶に於ける転位の運動
• 5p-M-11 ZnO結晶中の積層欠陥の透過電顕観察
• ZnSe/GaAs(111) 結晶の回転双晶 : エピタキシーII
• 4a-I-2 CuClのmorphologyと極性
• 4a-I-1 CdS双晶結晶とその極性
• CuClのmorphologyと極性
• 1p-KD-10 CdTeとZnTeのmorphologyと極性
• 4a-M-5 HgSe単結晶の塑性
• Se, Se-As溶媒から成長したZnSe結晶のmorphologyと極性 : モルフォロジーI
• ZnSeの成長方向の極性とその決定法 : 評価
• 28a-F-2 ZnSeの成長方向の極性とその決定法
• 30a-A-6 マイクロばね状セラミックス・ファイバーの機械的特性
• Cl添加CdTe結晶のフォトルミネッセンス評価
• ヨウ素輸送法によるZnS単結晶成長とその電気的,光学的特性評価
• CdTe放射線検出器の特性
• TlBr光検出器によるシンチレーション光の検出
• II-VI族化合物のc方向成長と極性 : 気相成長
• 6a-AG-4 ウルツ型結晶のC方向成長と極性
• 28a-ZG-1 SiC極性面上に成長した2次粒子 II
• SiC焼結体に見られる双晶 : 評価I
• 25a-B-4 SiC極性面上に成長した2次粒子
• 28a-F-9 GaAs(111)面上のZnSe結晶のモルフォロジー(結晶成長)
• 29a-Q-4 CrSi,CrFeSi系のホロー結晶(29aQ 結晶成長)
• 29a-Q-5 Cu-ハライド結晶の成長に及ぼす電場の影響(29aQ 結晶成長)
• 1a-A6-5 etch-pit facetの決定(1a A6 結晶成長,結晶成長)
• 30p-CB-5 CdTe{115}面上のエッチピット(30p CB 結晶成長)
• 30p-CB-6 GaPホィスカーの回転双晶(II)(30p CB 結晶成長)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク