アラゴナイト構造をもったCaCoX_3結晶の観察 : 長崎大学文教地区の水道水から成長する結晶
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- フッ化チタン(IV)カリウムからの窒化チタンウイスカーの合成における添加物の効果
- モルフォロジーに及ぼす回転双晶の影響
- GaPホイスカーのモルフォロジーと回転双晶
- コイル状セラミック・ファイバー : その構造と物性
- SnO_2ウィスカーのモルフォロジー
- 六方晶BN中の転位
- β-SiCウイスカー中の積層欠陥(セラミックスの微細構造)
- 3p-P-10 II-VI化合物のHVEMによる照射損傷
- 扇状塩基性硫酸マグネシウムの成長機構とその特性
- 29a-T-10 ZnO, CdS, CdSeにおけるhollow結晶の成長機構
- 29a-T-9 CdSe, ZnO結晶成長におよぼす電場の影響
- TiNウイスカーの形態と引張強度
- 裏表のある結晶のモルフォロジー : 化合物半導体に見られる不思議な形
- マイクロコイル状炭素繊維の気相合成とその特性
- 硫黄含有シリコーンオイルの熱分解によるβ-SiCウイスカーの生成と機械的性質
- 単斜晶ZrO_2ウイスカーの気相成長(2. 気相反応法)(新技術によるセラミックスの合成と評価(I))
- 30a-F-8 CdTe結晶面上のetch pitの成長過程
- CdTeの成長方向の極性とその決定法
- 2a-B-3 C軸のまわりに回転したZnO板状結晶の極性
- 5p-NR-10 II-VI化合物の双晶
- ZnO双晶ホロー結晶の成長機構 : モルフォロジー
- 1a-U-8 成長条件によるCdS結晶の極性
- 4a-C-5 CdS結晶成長におよぼす電場の影響
- II-VI族化合物ホロー結晶の成長機構 : II-VI化合物半導体
- 2p GN-8 CdS結晶成長に対するCdまたはS添加の影響
- CdTe結晶の腐食孔と極性の決定法
- アラゴナイト構造をもったCaCoX_3結晶の観察 : 長崎大学文教地区の水道水から成長する結晶
- II-VI族化合物のc方向成長と極性 : 気相成長
- 6a-AG-4 ウルツ型結晶のC方向成長と極性
- "エネルギ-問題"に関する講義について
- 結晶の非幾何学的模様の美しさ
- Tensile test method for micro-colis of ceramic fibers.
- タイトル無し
- 2-6族結晶の腐食模様と極性方向の判定法 (ドライプロセスによる機能材料の創製)