イオンビーム・ダイナミックミキシング法によるセラミックスのCu又はMoメタライゼーション
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概要
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Copper metallization of AlN substrate and Molybdenum metallization of Si_3N_4, SiC and Al_2O_3 substrates were performed using an ion beam dynamic mixing method. In this method, a high energy ion beam of 50 keV (Ti^+, Ar^+ or N^+) and a co-evaporated metal vapor (Cu or Mo) were irradiated onto a ceramic substrate to deposit the metal film. This method, especially with Ti^+ ion beam, was found to be quite useful to obtain adhesive metal films. A Cu film coated on an AlN substrate showed an adhesion strength of >70 MPa, and a high soldering strength of>40 MPa for a soft solder. The adhesion strength of a Mo film coated on a ceramic substrate did not decrease when heated up to 973 K: a Mo-coated ceramic was bonded to a Cu rod using an amorphous brazing metal at 973 K, resulting in a strong joint of>120 MPa for each type of ceramics. The ceramics-metal interface region of the Mo-coated Si_3N_4 and SiC were observed by TEM and XPS, and an interface layer well-mixed by an energetic Ti^+ ion beam was confirmed. Amorphous compounds and fine precipitated crystals such as TiN, composed of the implanted Ti, the evaporated Mo and some constituent elements of the ceramics, were identified in the interface layers.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 1992-04-01
著者
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塚原 園子
アルバックテクノ(株)ケミカルセンター
-
塚原 園子
日本真空技術(株)筑波超材料研究所
-
松浦 正道
日本真空・超材研
-
千田 中哉
日本真空・超材研
-
千田 中哉
日本真空技術(株)超材料研究所
-
松浦 正道
日本真空技術(株)超材料研究所
-
藤沼 明子
日本真空技術(株)電子・イオン機器装置事業部
-
松浦 正道
日本真空技術 筑波超材料研
-
塚原 園子
産業技術総合研究所
-
塚原 園子
日本真空技術(株)
-
塚原 園子
日本真空技術 筑波超材研
-
塚原 園子
日本真空技術
-
千田 中哉
日本真空技術 (株) 超材料研究所
-
藤沼 明子
日本真空技術 (株) 超材料研究所
-
松浦 正道
日本真空技術 (株) 超材料研究所
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