MRAM(Magnetic Random Access Memory)高温エッチング技術の開発(新型不揮発性メモリー)
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概要
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不揮発メモリーのひとつであるMRAMの微細化,量産化を達成するためには反応性イオンエッチング(RIE:Reactive Ion Etching)による加工技術の開発が必要不可欠となる.本研究で我々は高密度プラズマを用いて,高温エッチングによる磁性体の加工技術の開発を行なった.塩素系ガスプラズマでのMTJ(Magnetic Tunnel Junction)を構成する磁性体のエッチングレート及び面内均一性等の基礎特性を調査し,更にMTJ素子を加工後し,電気磁気特性を評価して約40%のMR(Magnetic Resistance)比が得られた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-03-10
著者
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小澤 正則
(株)アルバック半導体技術研究所
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山本 直志
株式会社アルバック筑波超材料研究所
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山本 直志
株式会社 アルバック 筑波超材料研究所
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松浦 正道
日本真空・超材研
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松浦 正道
(株)アルバック筑波超材料研究所
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菊地 幸男
(株)アルバック筑波超材料研究所
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鄒 紅コウ
アルバック半導体技術研究所
-
小風 豊
(株)アルバック半導体技術研究所
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山本 直志
(株)アルバック筑波超材料研究所
-
鄒 紅コウ
(株)アルバック半導体技術研究所
-
石川 道夫
(株)アルバック半導体技術研究所
-
山川 洋幸
(株)アルバック筑波超材料研究所
-
石川 道夫
株式会社アルバック半導体技術研究所
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鄒紅 コウ
(株)アルバック半導体技術研究所
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