Metallic Impurity Conduction in Doped Semiconductors

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概要

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• The metallic impurity conduction in doped semiconductors is reviewed. Anomalous transport properties at low temperature are explained by the theory of incipient localization due to the randomness and the electron-electron interaction.

• 理論物理学刊行会の論文
• 1986-03-25

著者

• KAWABATA Arisato

  Research Institute for Fundamental Physics Kyoto University

• Ootuka Youiti

  Department Of Physics Faculty Of Science University Of Tokyo

• Ootuka Youiti

  Department Of Physics University Of Tokyo

• Kawabata Arisato

  Department Of Physics Gakushuin University

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