Complementary Two-input NAND Gates with Low-voltage-operating Organic Transistors on Plastic Substrates
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概要
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We fabricated two-input NAND gates composed of p-channel pentacene and n-channel C60 transistors. The logic devices were prepared on flexible polymer substrates through a shadow mask process. Correct NAND logic functionality was demonstrated at a wide voltage range of 2--7 V. From voltage transfer characteristics of the NAND gates, we obtained impressive signal gains up to 120 and large noise margins in the given voltage range.
- Japan Society of Applied Physicsの論文
- 2008-02-25
著者
-
Kitamura Masatoshi
Institute for Nano Quantum Information Electronics, The University of Tokyo
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Arakawa Yasuhiko
Research Center For Advanced Science And Technology And Institute Of Industrial Science University O
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Na Jong
Research Center For Advanced Science And Technology University Of Tokyo
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Arakawa Yasuhiko
Research Center For Advanced Science And Technology University Of Tokyo
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Kitamura Masatoshi
Institute For Nano Quantum Information Electronics University Of Tokyo
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Kitamura Masatoshi
Institute For Nano Quantum Information Electronics And Institute Of Industrial Science The Universit
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Kitamura Masatoshi
Institute For Nano Quantum Information Electronics (nanoquine) The University Of Tokyo
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