Complementary Two-input NAND Gates with Low-voltage-operating Organic Transistors on Plastic Substrates
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
We fabricated two-input NAND gates composed of p-channel pentacene and n-channel C60 transistors. The logic devices were prepared on flexible polymer substrates through a shadow mask process. Correct NAND logic functionality was demonstrated at a wide voltage range of 2--7 V. From voltage transfer characteristics of the NAND gates, we obtained impressive signal gains up to 120 and large noise margins in the given voltage range.
- Japan Society of Applied Physicsの論文
- 2008-02-25
著者
-
Kitamura Masatoshi
Institute for Nano Quantum Information Electronics, The University of Tokyo
-
Arakawa Yasuhiko
Research Center For Advanced Science And Technology And Institute Of Industrial Science University O
-
Na Jong
Research Center For Advanced Science And Technology University Of Tokyo
-
Arakawa Yasuhiko
Research Center For Advanced Science And Technology University Of Tokyo
-
Kitamura Masatoshi
Institute For Nano Quantum Information Electronics University Of Tokyo
-
Kitamura Masatoshi
Institute For Nano Quantum Information Electronics And Institute Of Industrial Science The Universit
-
Kitamura Masatoshi
Institute For Nano Quantum Information Electronics (nanoquine) The University Of Tokyo
関連論文
- Esaki diodes live and learn
- 26aXG-4 シリコン結合量子ドットの電子輸送特性評価(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26pWH-6 1.3μm帯光伝導測定によるg因子の見積もり(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 高アスペクト比ドライエッチング技術を用いて作製したシリコンフォトニック結晶デバイス(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
- C-3-24 超小型PD集積型1次元フォトニック結晶分散補償モジュール(フォトニック結晶ファイバ・素子,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-81 1次元結合欠陥型フォトニック結晶分散補償器(補償デバイス,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- フォトニック結晶を用いた分散補償素子の作製検討(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 一次元フォトニック結晶の作製と応用(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- SC-1-9 フォトニック結晶の分散制御と光素子への応用
- 量子ドット光デバイスと国家プロジェクト
- 榊裕之先生,平成20年度文化功労者に
- 1.総論:先端ナノフォトニクスの展開 : 量子ドットを中心にして(進化する先端フォトニックデバイス)
- First Demonstration of Electrically Driven 1.55μm Single-Photon Generator
- MOCVD法により作製したGaAs基板上GaInNAs埋め込みInAs量子ドットレーザの1.3μm帯室温連続発振(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- Single-photon generator for telecom applications
- Photonic Crystal Nanocavity Continuous-wave Laser Operation at Room Temperature
- 学術講演「未来社会に向けた工学の新展開〜エレクトロニクスを中心にして〜」
- Development of Electrically Driven Single-Photon Emitter at Optical Fiber Bands
- Single-Photon Generation in the 1.55-μm Optical-Fiber Band from an InAs/InP Quantum Dot
- Observation of Light Emission at-1.5μm from InAs Quantum Dots in Photonic Crystal Microcavity
- Lab-on-a-chip:towards the miniaturization and integration of fluorescencespectroscopy based detection method onto portable device
- 量子ドットレーザの展望(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 〔invited〕量子ドットレーザの展望(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 窒化物半導体垂直微小共振器LEDの作製と青色面発光レーザへの展望(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 超低閾値ナノ共振器レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 窒化物半導体垂直微小共振器LEDの作製と青色面発光レーザへの展望
- 「総論:ナノテクノロジーと次世代情報通信技術>
- A-4-8 拡張成分分離型ε-フィルタの最適設計とその画像処理への応用
- 高Q値3次元フォトニック結晶ナノ共振器におけるレーザ発振(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 高Q値3次元フォトニック結晶ナノ共振器におけるレーザ発振(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 和文論文誌を研究情報発信の場に : 論文誌活性化に向けて
- 光エレクトロニクス
- 光エレクトロニクス
- 光エレクトロニクス
- 20aYK-12 自己形成量子ドットを用いた単電子トランジスタ構造における光電流,発光の制御(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 1.3μm帯フォトニック結晶ナノ共振器レーザの室温連続発振(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 21世紀を切り開く機能性単結晶の基礎と応用(第21回)フォトニック結晶ナノ共振器を利用した光と物質の相互作用制御
- BCI-1-7 量子ドット-フォトニック結晶ナノ共振器系を用いた超低閾値レーザ(BCI-1.光通信における最新極限技術,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- BCI-1-7 量子ドット-フォトニック結晶ナノ共振器系を用いた超低閾値レーザ(BCI-1.光通信における最新極限技術,ソサイエティ企画)
- InAs量子ドットマイクロディスクレーザの室温発振特性(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- フォトニック結晶を用いた分散補償素子の作製検討(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- フォトニック結晶を用いた分散補償素子の作製検討(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- フォトニック結晶を用いた分散補償素子の作製検討(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 一次元フォトニック結晶の作製と応用(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 一次元フォトニック結晶の作製と応用(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- シリコン上1.3μm量子ドットレーザ--光LSI融合システム構築に向けて
- ウェハ融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- ウェハ融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- ウェハ融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- ウェハ融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 集積化光伝導ダイポールアンテナによるテラヘルツ光の発生と検出
- 通信用フォトニック結晶デバイスと光集積回路(ナノ光技術・電子技術,次世代ナノテクノロジー論文)
- MEMS集積化フォトニック結晶導波路の作製と評価(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
- MEMS-フォトニック結晶機能素子の作製方法
- 集積化光伝導ダイポールアンテナによるテラヘルツ光の発生と検出
- 集積化光伝導ダイポールアンテナによるテラヘルツ光の発生と検出
- Investigation of the Polarization-Induced Charges in Modulatlon Doped Al_xGa_N/GaN Heterostructures through Capacitance-Voltage Profiling and Simulation
- Influence of Ferroelectric Polarization on the Properties of Two-Dimensional Electron Gas in Pb(Zr_Ti_)O_3/Al_xGa_N/GaN Structures
- Characterization of Proton-Irradiated InGaAs/GaAs Multiple Quantum Well Structures by Nonresonant Transient Four-Wave Mixing Technique
- 24aTH-3 2次元チャネルによるInAs自己形成ドットのコンダクタンススペクトロスコピー(量子ドット(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- グリーンICT社会に向けたフォトニックデバイス : 量子,ナノ,光の融合(エレクトロニクスソサイエティ和文論文誌500号記念論文)
- 次世代高効率ネットワーク技術開発プロジェクトと研究諸課題 : デバイス基盤技術の概要(PN特別セッション(1),IPバックボーンネットワーク,MPLS,GMPLS,フォトニックネットワーク及び一般)
- 次世代高効率ネットワーク技術開発プロジェクトと研究諸課題 : デバイス基盤技術の概要(PN特別セッション(1),IPバックボーンネットワーク,MPLS,GMPLS,フォトニックネットワーク及び一般)
- ナノテクノロジ-と先端デバイス
- 光通信技術の研究開発動向 (特集 光通信技術の最新動向)
- 量子ドットレーザー (特集 半導体レーザー・最近の話題)
- CK-1-6 量子ドットを用いた単一光子発生素子の展望(CK-1.応用の幅を広げるレーザ技術,特別企画,ソサイエティ企画)
- CK-1-6 量子ドットを用いた単一光子発生素子の展望(CK-1.応用の幅を広げるレーザ技術,特別企画,ソサイエティ企画)
- Enhanced Optical Properties of High-Density (>10^/cm^2) InAs/AlAs Quantum Dots by Hydrogen Passivation
- Area-Controlled Growth of InAs Quantum Dots by Selective MOCVD
- Optical Characteristics of Two-Dimensional Photonic Crystal Slab Nanocavities with Self-Assembled InAs Quantum Dots for 1.3μm Light Emission
- Transmission Experiment of Quantum Keys over 50km Using High-Performance Quantum-Dot Single-Photon Source at 1.5μm Wavelength
- (マイクロマシン)
- Vertical Microcavity Lasers with InGaAs/GaAs Quantum Dots Formed by Spinodal Phase Separation
- Area Density Control of Quantum-Size InGaAs/Ga(Al)As Dots by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
- Formation of InGaAs Quantum Dots on GaAs Multi-Atomic Steps by Metalorganic Chemical Vapor Deposition Growth
- ナイトライド面発光半導体レーザの常圧MOCVD成長
- 低次元量子構造作製技術とデバイス応用の現状と展望 : 量子ドットを中心にして
- 25aXC-2 GaAs(001)表面上のInAs量子ドット形成初期過程のシミュレーションとその場観察STMによる研究(表面ナノ構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- A-4-3 成分分離型ε-フィルタの最適設計
- SA-1-2 一般化ε-分離型非線形フィルタバンクを用いたルールベース顔画像美観化システム
- A-4-3 ε-分離型非線形フィルタバンクとその顔画像処理への応用
- A-4-25 成分分離型ε-フィルタとその顔画像美観化への応用
- MOCVD法により作製したGaAs基板上GaInNAs埋め込みInAs量子ドットレーザの1.3μm帯室温連続発振(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- Progress in GaN-Based Nanostructures for Blue Light Emitting Quantum Dot Lasers and Vertical Cavity Surface Emitting Lasers(Special Issue on Blue Laser Diodes and Related Devices/Technologies)
- Lasing Emission from an In_Ga_N Vertical Cavity Surface Emitting Laser
- 窒化物半導体垂直微小共振器LEDの作製と青色面発光レーザへの展望(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 窒化物半導体垂直微小共振器LEDの作製と青色面発光レーザへの展望(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Phototransistors Using Point Contact Structures
- Phototransistors Using Point Contact Structures
- Tarahertz Emission from Quantum Beats in Coupled Quantum Wells
- Terahertz Emission from Quantum Beats in Coupled Quantum Wells
- Investigation of the Spectral Triplet in Strongly Coupled Quantum Dot-Nanocavity System
- Two-Photon Control of Biexciton Population in Telecommunication-Band Quantum Dot
- Large Vacuum Rabi Splitting in Single Self-Assembled Quantum Dot-Nanocavity System
- Three-Dimensional Imaging of GaN Films Using Transient Two-Photon Absorption Excited by Near-Infrared Laser Pulses
- Enhanced Luminance Efficiency of Organic Light-Emitting Diodes with Two-Dimensional Photonic Crystals
- Enhanced Luminance Efficiency from Organic Light-Emitting Diodes with 2D Photonic Crystal
- ハードウェアでの実装に適した非線形ディジタルフィルタ(「非線形ディジタル信号処理とその応用特集号」)
- Complementary Two-input NAND Gates with Low-voltage-operating Organic Transistors on Plastic Substrates