ヨウ化水素誘導結合プラズマエッチングを用いたInP系半導体フォトニック結晶の製作(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
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概要
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本研究では, 1.55μm帯GaInAsP-InPウェハに対してヨウ化水素(HI)ガスを用いた誘導結合プラズマ(ICP)エッチングを行い, 良好な平滑性と高アスペクト比をもつフォトニック結晶(PC)円孔配列を形成することに成功した.HIガスを用いた低温ICPエッチングでは, レジストマスクからの直接転写が可能であり, 従来の中間マスクを用いるプロセスに比べて側壁平滑性が向上した.エッチング状態を律則する諸条件を最適化した結果, 直径0.2μm程度の小円孔に対してアスペクト比13以上, 側壁荒れ10nm以下が得られた.実際にGaInAsPスラブに形成したPC点欠陥レーザでは明瞭な発振動作が確認された.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-06-17
著者
-
水田 栄一
宇宙航空研究開発機構 宇宙科学研究本部
-
馬場 俊彦
横浜国立大学電子情報工学科
-
水田 栄一
横浜国立大学工学研究院
-
井手 利英
横浜国立大学工学研究院
-
馬場 俊彦
横浜国立大学工学研究院
-
馬場 俊彦
横浜国大・工
-
馬場 俊彦
横浜国立大学
-
馬場 俊彦
横浜国大 大学院工学府
-
野崎 謙悟
横浜国立大学 工学研究院
-
橋本 惇一
横浜国立大学工学研究院
-
志賀 正浩
横浜国立大学工学研究院
-
馬場 俊彦
横国大院工
-
馬場 俊彦
横浜国立大学大学院工学研究院:jst-crest
-
志賀 正浩
横浜国立大学 工学研究院
-
井手 利英
横浜国立大学 工学研究院
-
橋本 惇一
横浜国立大学 工学研究院
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