短共振器半導体レーザを可能にする半導体/空気DBRの高反射率化
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概要
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光加入者系、光インターコネクト等に対応できる低しきい値、高効率、低コスト半導体レーザの開発が盛んに行われている。また自然放出制御,フォトンリサイクリングなど新しい効果を利用した高性能化の基礎研究も活発化している。これらの目的には、レーザ共振器を短小化するのが有効である。数10μm以下の短共振器を可能にする反射鏡として,我々はレーザウェハに垂直エッチングを施した新しい高反射DBRを提案、試作してきた。しかしこれまでに得られたDBRの反射率は、へき開面と同等の30%であった。この低さは、垂直エッチングで生じる半導体側壁の粗れによる光散乱が主な原因と考えられる。そこで本報告では,反射率改善のために用いた新しいプロセスとレーザ素子の評価結果について述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
-
馬場 俊彦
横浜国立大学工学研究院
-
馬場 俊彦
横浜国大・工
-
松谷 晃宏
東工大・精研
-
小山 二三夫
東工大・精研
-
伊賀 健一
東工大・精研
-
浜崎 元司
横浜国大・工
-
カエプラング パス
横浜国大・工
-
馬場 俊彦
横浜国立大学大学院工学研究院:jst-crest
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