InP系半導体2次元フォトニック結晶の検討
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概要
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フォトニック結晶は光の半波長オーダーの同期構造であり,光の発生,伝搬を制御する新しい概念として注目されている.しかし半導体光デバイスにこれを用いる場合,サブミクロン微細加工技術に加えて,表面再結合の問題克服が欠かせない.そこで本研究では,多次元的な微細構造が自然形成され,なおかつ蛍光強度に劣化がないInP半導体の陽極化成エッチング法に着目した.そして,比較的形成が容易で大きな効果が期待できる2次元フォトニック結晶にこれを適用することを検討した.本稿では,そのエッチング特性の調査結果を報告すると共に,様々な構造に対するフォトニックバンドの計算結果を示し,自然放出制御効果などの実際の可能性を議論する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-11-18
著者
-
馬場 俊彦
横浜国立大学電子情報工学科
-
松崎 知美
横浜国立大学工学部
-
松崎 知美
横浜国立大学
-
鈴木 順一
横浜国立大学
-
菅原 大介
横浜国立大学
-
馬場 俊彦
横浜国立大学
-
馬場 俊彦
横浜国立大学大学院工学研究院:jst-crest
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