WO_3薄膜の膜密度とNO_2ガス検出特性

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2003-11-03

著者

• 中谷 訓幸

  富山大院理工

• 喜久田 寿郎

  富山大院理工

• 武田 文雄

  富山工専

• 武田 文雄

  富山工業高等専門学校

• 武田 文雄

  富山高専

• 山崎 登志成

  富山大学大学院理工学研究部

• 中谷 訓幸

  富山大学工学部

• 中谷 訓幸

  富山大 工

• 山崎 登志成

  富山大学工学部

• 喜久田 寿郎

  富山大学工学部

• 金 成姫

  富山大学工学部

• 白井 康義

  富山大学工学部

関連論文

• 20pHS-6 電磁ホーン型ESRによる誘電ロスの大きな試料・大型試料等極端試料の応用計測VII(20pHS 誘電体(硫安・TGS・水素結合系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 28aRB-8 硫酸グリシンへのアミノ酸のドーピング(28aRB 誘電体(TGS・硫安系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 17aWE-3 遷移金属イオンを添加したTGS単結晶の物性研究
• 27pPSB-5 強誘電軸に垂直な電場による強誘電性への影響3(領域10ポスターセッション(誘電体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 19pYM-4 硫酸グリシン(TGS)の低温熱容量(誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 焦電検出法による硫酸グリシンの分極反転の観察
• リンをド-プした硫酸グリシン単結晶の作製とその強誘電的特性
• 焦電検出法を用いた硫酸グリシンの強誘電分域構造の観察
• 熱処理した硫酸グリシンの強誘電分域構造の経時変化
• 28aYJ-6 電磁ホーン型ESRによる誘電ロスの大きな試料・大型試料等極端試料の応用計測VI(誘電体(TGS・硫安系),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 酸化ニッケルスパッタ膜の多孔性評価とNO_2検出特性
• 20aXA-5 L-トレオニンおよびL-メチオニンをドープしたTGS単結晶の作製と強誘電特性(誘電体,領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 30pYA-10 L-リシンをドープしたTGSの強誘電特性(30pYA 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• スパッタ法で作製した酸化チタン薄膜の微細構造における熱処理効果と水素検出特性
• 27aYR-10 単斜晶系強誘電体TGSの極低温城までの熱膨張測定(誘電体,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
• 反強誘電性液晶セルの光学応答特性
• 19pYM-5 GPI(亜リン酸グリシン)の強誘電相転移の研究IV(誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 27pXK-2 GPI(亜リン酸グリシン)の強誘電相転移の研究III(誘電体)(領域10)
• 27pXK-1 亜リン酸グリシン(GPI)の強誘電相転移点近傍での熱膨張測定II(誘電体)(領域10)
• 21aXC-2 亜リン酸グリシン (GPI) の強誘電相転点近傍での熱膨張測定
• 21aXC-1 GPI (亜リン酸グリシン)の強誘電相転移の研究 II
• 31aXJ-6 GPI (亜リン酸グリシン)の強誘電相転移の研究
• スパッタ膜のパターン形成用金属マスクの熱変形
• マスクを用いたスパッタ膜のパターン形成
• スパッタ膜のパターン形成用金属マスクの有限要素法熱変形解析
• 2-11 新しい活性化マグネトロンスパッタ法によるZnO,AlN圧電厚膜の高速作成(一般講演)
• Synthesis of Aluminium Nitride Film by Reactive DC Ion Plating
• Growth of indium nitride film by rf reactive sputtering
• Preparation of Indium Oxide in_20_3 Film by Reactive Sputtering
• Influence of Added Antimony on a Conduction Characteristics of Sputtered Tin Oxide Films
• Preparation of Transparent Conducting Tin Oxide Films by R.F.Glow Discharge Reactive Sputtering
• Electrical and Optical properties of SnO_2-Si Heterojunction prepared by Radio Frequency Sputtering System
• Double Gate 電界効果 Transistor を使用したN字特性回路
• 21pVE-6 亜リン酸グリシンの強誘電性へのX線照射効果(21pVE 誘電体(水素結合系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 20aXA-3 強誘電軸に垂直な電場による強誘電性への影響2(誘電体,領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 20aXA-4 強誘電体TGSの極低温域での熱膨張異常(誘電体,領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 30pYA-9 TGSの分極反転における結晶構造の変化(30pYA 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 27pYR-5 TAAPにおける重水素置換効果(誘電体,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
• 27aYR-8 強誘電軸に垂直な電場による強誘電性への影響1(誘電体,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
• WO_3薄膜の膜密度とNO_2ガス検出特性(薄膜プロセス・材料,一般)
• WO_3薄膜の膜密度とNO_2ガス検出特性
• Synthesis characterization and gas sensing properties of TiO2 nanostructures
• 高専における専攻科を含むカリキュラムの充実策について
• 電気工学科+専攻科の教育課程に関する基礎調査 -電気系教育課程の階層性と系統性及び関連性ー
• 直流マグネトロンスパッタによるAl-AlN2層膜の作成
• 高周波スパッターによるBi_GeO_薄膜の作成
• 相補形FETを使用した単発正弦波発生について
• 気相成長によるシリコン結晶について
• E-6 高音速セラミック基板上のZnO薄膜を用いた高音速・高結合表面波(弾性表面波とデバイスII)
• 強磁性体用プレ-ナマグネトロンの新方式--タ-ゲット表面上の磁界分布
• 29a-A-5 サルコシンをドープしたTGS単結晶の作成とその強誘電特性
• 単結晶育成中に発生する応力(II) : 融液成長II
• 重水素置換した亜リン酸グリシンの強誘電特性
• 25aYQ-10 亜リン酸グリシン単結晶の作製
• 26p-A-13 焦電検出法によるTGSの分域壁移動の観察
• 強誘電履歴曲線の精密自動反転
• 3a-R-10 リン酸をドープしたTGSの特性
• 28p-YS-2 TGSの分極応答のフーリエ解析
• 28p-ZR-4 酒石酸カルシウムの強誘電性について
• 27p-M-7 DL-アラニンをドープしたTGSの分域構造
• 30a-L-5 アラニンをドープしたTGSの結晶形と内部バイアス
• マグネトロンスパッタ法によるA1N及びZnO膜のC軸配向性の基盤温度とガス圧依存性
• 硫酸グリシンの強誘電分域構造に対する熱処理効果
• 硫酸グリシンの強誘電分域壁の誘電率への寄与
• 走査型電子顕微鏡による硫酸グリシンの強誘電分域の観察
• 硫酸グリシンの分極反転
• 硫酸グリシンの焦電気電流と自発分極
• 反応性マグネトロンスパッタによるZnO膜のc軸配向に対する水素ガスの影響(技術談話室)
• 反応性DCマグネトロンスパッタによるAlN膜の堆積機構(技術談話室)
• 反応性スパッタによりステンレス基板上へ作成されたAlN膜の結晶構造(技術談話室)
• RFスパッタによるBi12GeO20膜の作成(技術談話室)
• N2とNH3ガス中でのマグネトロンスパッタAlN膜のC軸配向(技術談話室)
• 高専における専攻科を含むカリキュラムの充実策について
• 改良形プレーナマグネトロンスパッタ装置の磁界分布と直流放電特性
• 反応性マグネトロンスパッタによるc軸配向AlN膜の作成
• マグネトロンスパッタ法による金属膜の膜厚分布
• 28aTM-1 強誘電軸に垂直な電場による強誘電性への影響4(28aTM 水素結合系,硫安系・TGS系,その他,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 21aGN-7 電磁ホーン型ESRによる誘電ロスの大きな試料・大型試料等極端試料の応用計測VIII(21aGN 水素結合系,硫安系・TGS系,その他,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 23aPS-139 強誘電軸に垂直な電場による強誘電性への影響5(23aPS 領域10ポスターセッション,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 23aPS-140 X線結晶構造解析から求めた硫酸グリシンの秩序度(23aPS 領域10ポスターセッション,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22p-P-6 一軸性圧力のTGSヒステリシスへの効果. I
• 1a GG-2 キュリー点近傍におけるTGSの劈開面
• 18pPSA-68 X線結晶構造解析から求めた硫酸グリシンの秩序度II(18pPSA 領域10ポスターセッション(誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 4a-KN-2 TGSのX線照射におけるワクチン効果
• 12p-H-5 PbHPO_4の誘電率
• 30a-W-1 PbHPO_4の分域構造 I
• 1a-SC-5 PbHPO_4の誘電率
• 2a-NB-9 ネマチック液晶によるTGSの分域観察 II
• 28a-W-3 TGSの分極反射
• 6a-AA-4 TGSの壁閉面のミクロな構造 II
• 31a-BD-7 TGSの劈開面のミクロな構造
• 10a-N-7 TGSの劈開面のミクロな構造
• 8a-K-3 TGSの分極反転・III
• 5p-N-1 TGSの劈開面のミクロな構造
• 12p-K-13 TGSの分極反転 I
• 3a-KB-4 TGS劈開面にあらわれる分域
• 3a-C-1 走査型電顕によるTGSの分域構造の観察.II
• 11a-P-2 走査型電顕によるTGSの分域観察
• 18pPSA-67 強誘電軸に垂直な電場による強誘電性への影響6(18pPSA 領域10ポスターセッション(誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 26aPS-142 強誘電軸に垂直な電場による強誘電性への影響7(26aPS 領域10ポスターセッション(誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク