29a-A-5 サルコシンをドープしたTGS単結晶の作成とその強誘電特性

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1993-03-16

著者

• 中谷 訓幸

  富山大院理工

• 中谷 訓幸

  富山大工

• 原 直行

  富山大工

関連論文

• 20pHS-6 電磁ホーン型ESRによる誘電ロスの大きな試料・大型試料等極端試料の応用計測VII(20pHS 誘電体(硫安・TGS・水素結合系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 28aRB-8 硫酸グリシンへのアミノ酸のドーピング(28aRB 誘電体(TGS・硫安系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 17aWE-3 遷移金属イオンを添加したTGS単結晶の物性研究
• 19pYM-4 硫酸グリシン(TGS)の低温熱容量(誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 焦電検出法による硫酸グリシンの分極反転の観察
• リンをド-プした硫酸グリシン単結晶の作製とその強誘電的特性
• 焦電検出法を用いた硫酸グリシンの強誘電分域構造の観察
• 熱処理した硫酸グリシンの強誘電分域構造の経時変化
• 28aYJ-6 電磁ホーン型ESRによる誘電ロスの大きな試料・大型試料等極端試料の応用計測VI(誘電体(TGS・硫安系),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 20aXA-5 L-トレオニンおよびL-メチオニンをドープしたTGS単結晶の作製と強誘電特性(誘電体,領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 30pYA-10 L-リシンをドープしたTGSの強誘電特性(30pYA 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 27aYR-10 単斜晶系強誘電体TGSの極低温城までの熱膨張測定(誘電体,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
• 反強誘電性液晶セルの光学応答特性
• 19pYM-5 GPI(亜リン酸グリシン)の強誘電相転移の研究IV(誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 27pXK-2 GPI(亜リン酸グリシン)の強誘電相転移の研究III(誘電体)(領域10)
• 27pXK-1 亜リン酸グリシン(GPI)の強誘電相転移点近傍での熱膨張測定II(誘電体)(領域10)
• 21aXC-2 亜リン酸グリシン (GPI) の強誘電相転点近傍での熱膨張測定
• 21aXC-1 GPI (亜リン酸グリシン)の強誘電相転移の研究 II
• 31aXJ-6 GPI (亜リン酸グリシン)の強誘電相転移の研究
• スパッタ膜のパターン形成用金属マスクの熱変形
• マスクを用いたスパッタ膜のパターン形成
• スパッタ膜のパターン形成用金属マスクの有限要素法熱変形解析
• 21pVE-6 亜リン酸グリシンの強誘電性へのX線照射効果(21pVE 誘電体(水素結合系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 20aXA-3 強誘電軸に垂直な電場による強誘電性への影響2(誘電体,領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 20aXA-4 強誘電体TGSの極低温域での熱膨張異常(誘電体,領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 30pYA-9 TGSの分極反転における結晶構造の変化(30pYA 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 27pYR-5 TAAPにおける重水素置換効果(誘電体,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
• 27aYR-8 強誘電軸に垂直な電場による強誘電性への影響1(誘電体,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
• WO_3薄膜の膜密度とNO_2ガス検出特性(薄膜プロセス・材料,一般)
• WO_3薄膜の膜密度とNO_2ガス検出特性
• 気相成長によるシリコン結晶について
• 29a-A-5 サルコシンをドープしたTGS単結晶の作成とその強誘電特性
• 単結晶育成中に発生する応力(II) : 融液成長II
• 重水素置換した亜リン酸グリシンの強誘電特性
• 25aYQ-10 亜リン酸グリシン単結晶の作製
• 26p-A-13 焦電検出法によるTGSの分域壁移動の観察
• 強誘電履歴曲線の精密自動反転
• 3a-R-10 リン酸をドープしたTGSの特性
• 28p-YS-2 TGSの分極応答のフーリエ解析
• 28p-ZR-4 酒石酸カルシウムの強誘電性について
• 27p-M-7 DL-アラニンをドープしたTGSの分域構造
• 30a-L-5 アラニンをドープしたTGSの結晶形と内部バイアス
• 硫酸グリシンの強誘電分域構造に対する熱処理効果
• 硫酸グリシンの強誘電分域壁の誘電率への寄与
• 走査型電子顕微鏡による硫酸グリシンの強誘電分域の観察
• 硫酸グリシンの分極反転
• 硫酸グリシンの焦電気電流と自発分極
• 22p-P-6 一軸性圧力のTGSヒステリシスへの効果. I
• 1a GG-2 キュリー点近傍におけるTGSの劈開面
• 強誘電体TGSのへき開面の構造
• 4a-KN-2 TGSのX線照射におけるワクチン効果
• 12p-H-5 PbHPO_4の誘電率
• 30a-W-1 PbHPO_4の分域構造 I
• 1a-SC-5 PbHPO_4の誘電率
• 2a-NB-9 ネマチック液晶によるTGSの分域観察 II
• 28a-W-3 TGSの分極反射
• 6a-AA-4 TGSの壁閉面のミクロな構造 II
• 31a-BD-7 TGSの劈開面のミクロな構造
• 10a-N-7 TGSの劈開面のミクロな構造
• 8a-K-3 TGSの分極反転・III
• 5p-N-1 TGSの劈開面のミクロな構造
• 12p-K-13 TGSの分極反転 I
• 3a-KB-4 TGS劈開面にあらわれる分域
• 3a-C-1 走査型電顕によるTGSの分域構造の観察.II
• 11a-P-2 走査型電顕によるTGSの分域観察

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク