喜久田 寿郎 | 富山大院理工
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概要
関連著者
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喜久田 寿郎
富山大院理工
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中谷 訓幸
富山大院理工
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山崎 登志成
富山大学大学院理工学研究部
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山崎 登志成
富山大学工学部
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中谷 訓幸
富山大 工
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山崎 登志成
富山大学工学部電気電子システム工学科
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山崎 登志成
富山大院理工
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中谷 訓幸
富山大工
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喜久田 寿郎
富山大工
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小林 正
大分大工
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小林 正
島根大総合科学支援センター
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喜久田 寿郎
富山大学大学院理工学研究部
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小野澤 晃
大分大工
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小野 澤晃
大分大工
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岡元 保憲
大分大工
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山崎 登志成
富山大工
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中谷 訓幸
富山大学大学院
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中谷 訓幸
富山大学工学部
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喜久田 寿郎
富山大学工学部
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吉澤 寿夫
富山大学工学部知能情報工学科
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吉沢 寿夫
富山大学工学部
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川敷 光正
大分大工
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吉沢 寿夫
富山大学大学院理工学研究部
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山口 俊久
明星大理工
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山淵 龍夫
富山大学工学部知能情報工学科
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大賀 恭
大分大工
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広林 茂樹
富山大学工学部
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広林 茂樹
金沢大学工学部電気・情報工学科
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山淵 龍夫
富山大学工学部
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HIROBAYASHI Shigeki
Kanazawa University
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Hirobayashi Shigeki
Department Of Intellectual Information System Engineering Faculty Of Engineering Toyama University
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清水 文直
いわき明星大科技
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高重 正明
いわき明星大科技
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豊田 昌宏
大分大工
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高重 正明
いわき明星大理工
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武田 文雄
富山工専
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武田 文雄
富山工業高等専門学校
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武田 文雄
富山高専
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高木 厚
富山大院理工
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山浦 康宏
大分大 工
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金 成姫
富山大学工学部
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白井 康義
富山大学工学部
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Shimizu Fumihiko
Department Of Applied Physics National Defense Academy
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ナイマ ジャンナトゥール
富山大工
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山下 裕介
富山大院理工
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フギエル B.
シレジア大
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高重 正明
いわき明星大・理工
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清水 文直
いわき明星大・理工
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石田 芳也
北見赤十字病院耳鼻咽喉科・頭頸部外科
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栗濱 忠司
中部大工
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川路 均
東工大応セラ研
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阿竹 徹
東工大応セラ研
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浜武 大輔
富山大工
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阿竹 徹
東京工業大学 応用セラミックス研究所
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米澤 正隆
富山大学大学院理工学研究部
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北山 貴章
富山大院理工
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高木 厚
富山大工
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光井 俊治
帝京大学
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清宮 義博
明星大学
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清宮 義博
明星大先端材料研
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清宮 義博
明星大理工
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長田 康彦
富山大学大学院理工学研究部
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吉澤 秀治
明星大学
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吉澤 秀治
明星大理工
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光井 俊治
帝京大薬
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小野澤 晃
大分大 工
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川敷 光正
大分大 工
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小林 正
大分大 工
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岡元 保憲
大分大 工
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喜久田 寿郎
富山大 工
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佐藤 慶太
大分大工
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衛藤 一仁
大分大工
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石坂 晃規
大分大工
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山浦 康宏
大分大工
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吉澤 秀治
明星大理工環境
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八木 潤二
富山大院理工
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川岸 義和
富山大工
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西田 正樹
富山大工
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西塚 博信
富山大工
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梶野 哲史
富山大院理工
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Takashige Masaaki
Department Of Electronics Iwaki Meisei University
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Takashige Masaaki
Institute For Solid State Physics The University Of Tokyo
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Takashige Masaaki
Department Of Physics College Of Science Tokyo Institute Of Technology
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酒谷 淳寛
富山大学大学院理工学研究部
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吉澤 壽夫
富山大学大学院理工学研究部
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平手 博
富山大学大学院理工学研究部
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木田 隆之
富山大学大学院理工学研究部
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イクラム ノル
富山大院理工
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フギエル ボグスワフ
シレジア大学
著作論文
- 20pHS-6 電磁ホーン型ESRによる誘電ロスの大きな試料・大型試料等極端試料の応用計測VII(20pHS 誘電体(硫安・TGS・水素結合系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 28aRB-8 硫酸グリシンへのアミノ酸のドーピング(28aRB 誘電体(TGS・硫安系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 17aWE-3 遷移金属イオンを添加したTGS単結晶の物性研究
- 27pPSB-5 強誘電軸に垂直な電場による強誘電性への影響3(領域10ポスターセッション(誘電体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 19pYM-4 硫酸グリシン(TGS)の低温熱容量(誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 28aYJ-6 電磁ホーン型ESRによる誘電ロスの大きな試料・大型試料等極端試料の応用計測VI(誘電体(TGS・硫安系),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 酸化ニッケルスパッタ膜の多孔性評価とNO_2検出特性
- 20aXA-5 L-トレオニンおよびL-メチオニンをドープしたTGS単結晶の作製と強誘電特性(誘電体,領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 30pYA-10 L-リシンをドープしたTGSの強誘電特性(30pYA 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- スパッタ法で作製した酸化チタン薄膜の微細構造における熱処理効果と水素検出特性
- 27aYR-10 単斜晶系強誘電体TGSの極低温城までの熱膨張測定(誘電体,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 19pYM-5 GPI(亜リン酸グリシン)の強誘電相転移の研究IV(誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 27pXK-2 GPI(亜リン酸グリシン)の強誘電相転移の研究III(誘電体)(領域10)
- 27pXK-1 亜リン酸グリシン(GPI)の強誘電相転移点近傍での熱膨張測定II(誘電体)(領域10)
- 21aXC-2 亜リン酸グリシン (GPI) の強誘電相転点近傍での熱膨張測定
- 21aXC-1 GPI (亜リン酸グリシン)の強誘電相転移の研究 II
- 31aXJ-6 GPI (亜リン酸グリシン)の強誘電相転移の研究
- スパッタ膜のパターン形成用金属マスクの熱変形
- マスクを用いたスパッタ膜のパターン形成
- スパッタ膜のパターン形成用金属マスクの有限要素法熱変形解析
- 21pVE-6 亜リン酸グリシンの強誘電性へのX線照射効果(21pVE 誘電体(水素結合系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 20aXA-3 強誘電軸に垂直な電場による強誘電性への影響2(誘電体,領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 20aXA-4 強誘電体TGSの極低温域での熱膨張異常(誘電体,領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 30pYA-9 TGSの分極反転における結晶構造の変化(30pYA 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 27pYR-5 TAAPにおける重水素置換効果(誘電体,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 27aYR-8 強誘電軸に垂直な電場による強誘電性への影響1(誘電体,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- WO_3薄膜の膜密度とNO_2ガス検出特性(薄膜プロセス・材料,一般)
- WO_3薄膜の膜密度とNO_2ガス検出特性
- Synthesis characterization and gas sensing properties of TiO2 nanostructures
- 重水素置換した亜リン酸グリシンの強誘電特性
- 25aYQ-10 亜リン酸グリシン単結晶の作製
- マグネトロンスパッタ法による金属膜の膜厚分布
- 28aTM-1 強誘電軸に垂直な電場による強誘電性への影響4(28aTM 水素結合系,硫安系・TGS系,その他,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 21aGN-7 電磁ホーン型ESRによる誘電ロスの大きな試料・大型試料等極端試料の応用計測VIII(21aGN 水素結合系,硫安系・TGS系,その他,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 23aPS-139 強誘電軸に垂直な電場による強誘電性への影響5(23aPS 領域10ポスターセッション,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 23aPS-140 X線結晶構造解析から求めた硫酸グリシンの秩序度(23aPS 領域10ポスターセッション,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 18pPSA-68 X線結晶構造解析から求めた硫酸グリシンの秩序度II(18pPSA 領域10ポスターセッション(誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 18pPSA-67 強誘電軸に垂直な電場による強誘電性への影響6(18pPSA 領域10ポスターセッション(誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 26aPS-142 強誘電軸に垂直な電場による強誘電性への影響7(26aPS 領域10ポスターセッション(誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))