高重 正明 | いわき明星大科技
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概要
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高重 正明
いわき明星大科技
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高重 正明
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清水 文直
いわき明星大科技
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清水 文直
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濱崎 真一
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Shimizu Fumihiko
Department Of Applied Physics National Defense Academy
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山口 俊久
明星大理工
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濱崎 真一
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沢田 正三
いわき明星大理工
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沢田 正三
いわき明星大学
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Takashige Masaaki
Department Of Physics College Of Science Tokyo Institute Of Technology
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Takashige Masaaki
Department Of Electronics Iwaki Meisei University
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沢田 正三
いわき明星
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鈴木 晴彦
福島工業高等専門学校
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Takashige Masaaki
Institute For Solid State Physics The University Of Tokyo
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濱崎 真一
福島高専
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鈴木 晴彦
いわき明星大学・理工
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小島 誠治
筑波大物質工
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小島 誠治
筑波大物理工
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山口 俊久
明星大学理工学部
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栗濱 忠司
中部大工
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安斎 孝幸
いわき明星大理工
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山口 俊久
明星大・理工
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鈴木 晴彦
いわき明星大・理工
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月岡 正至
無機材研
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張 敏守
釜山大学校
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張敏 守
釜山大学校
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今泉 了
いわき明星大理工
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関口 浩
いわき明星大
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過足 光三
いわき明星大理工
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関口 浩
いわき明星大理工
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過足 光三
いわき明星大学
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福来 信貴
いわき明星大理工
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吉岡 康行
いわき明星大理工
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過足 光三
いわき明星大
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後藤 照顕
明星大院理工
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笠野 裕修
山口大理
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濱崎 真一
福島工業高等専門学校 電気工学科
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高橋 義夫
いわき明星大理工
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三好 烈麗
山口大院理工
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米田 安宏
原子力機構
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三好 烈麗
山口大理
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米田 安宏
原子力機構・放射光科学研究ユニット
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TAKASHIGE Masaaki
Department of Electronics, Iwaki Meisei University
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草野 浩一
いわき明星大学
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小松 敏忠
いわき明星大学 理工学部
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Sinichi Hamazaki
Department Of Electronics Iwaki Meisei University
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Hamazaki Shin-ichi
Fukushima National College Of Technology
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水木 純一郎
原子力機構放射光:trip(jst)
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和田 三男
信州大理
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田沼 静一
いわき明星大理工
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佐藤 智也
いわき明星大
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田沼 静一
いわき明星大
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YONEDA Yasuhiro
Synchrotron Radiation Research Center, Japan Atomic Energy Research Institute
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KOHMURA Yoshiki
Harima Institute, RIKEN
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SUZUKI Yoshio
Synchrotron Radiation Research Laboratory, Japan Synchrotron Radiation Research Institute
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水木 純一郎
原子力機構・放射光科学研究ユニット
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田代 直子
いわき明星大理工
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鈴木 晴彦
福島高専 電気工学科
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Takashige Masaaki
Department Of Electronic Engineering College Of Science And Engineering Iwaki Meisei University
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田代 直子
いわき明星大学理工
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鈴木 芳生
高輝度光科学研究センター SPring-8
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中谷 訓幸
富山大院理工
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喜久田 寿郎
富山大院理工
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増山 博行
山口大理
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中谷 訓幸
富山大工
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喜久田 寿郎
富山大工
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鈴木 晴彦
福島高専
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小原 真司
高輝度光科学研究センター
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小原 真司
高輝度光科学研
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香村 芳樹
理研
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米田 安宏
原研・放射光科学研究センター
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水木 純一郎
原研・放射光科学研究センター
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水木 純一郎
原研放射光
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Yano Yoshihiko
神戸大学医学系研究科
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香村 芳樹
(独)理化学研究所播磨研究所
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増山 博行
山口大 理
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和田 三男
信州大教養
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鈴木 芳生
(財)高輝度光科学研究センター
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鈴木 芳生
(株)日立製作所中央研究所
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鈴木 芳生
Spring-8 財団法人高輝度光科学研究センター
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香村 芳樹
理化学研究所播磨研究所
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Yano Yoshihiko
神戸大学 大学院医学系研究科・医学部糖尿病・代謝・内分泌科学
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米田 安宏
原研放射光
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吉澤 秀二
明星大学 理工学部
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浜崎 真一
いわき明星大理工
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吉澤 秀二
明星大
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Kohmura Yoshiki
Mitsubishi Heavy Industry Co. Ltd.
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Suzuki Y
Department Of Applied Physics Faculty Of Engineering Tohoku University
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Jang M
Pusan National Univ. Pusan Kor
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Jang Min-su
Research Center For Dielectric And Advanced Matter Physics Pusan National University
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笠野 裕修
山口大院理工
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岡部 直一
いわき明星大理工
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吉田 龍
いわき明星大理工
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Yoneda Y
Japan Atomic Energy Res. Inst. Hyogo
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Yoneda Yasuhiro
Synchrotron Radiation Research Center Japan Atomic Energy Research Institute
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Kuroda Yoshikatsu
Department Of Physics School Of Science The University Of Tokyo
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Suzuki Yoshishige
National Institute For Advanced Interdisciplinary Research
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YAMAGUCHI Toshihisa
Department of Electrical Engineering, Meisei University
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Jang M‐s
Research Center For Dielectric And Advanced Matter Physics Pusan National University
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HAMAZAKI Sinichi
Department of Electronics, Iwaki Meisei University
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KOKUBUN Masayoshi
Department of Electronics, Iwaki Meisei University
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Suzuki Yoshihiro
Dept. Of Toxicol. & Clin. Pharmacol. Fac. Of Pharmaceut. Sci. Higashi-nippon-gakuen Univ.
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Yoneda Y
Fujitsu Lab. Ltd. Atsugi Jpn
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坂寄 良和
いわき明星大学
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Jang M
Department Of Physics Pusan National University
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Yamaguchi Toshihisa
Department Of Applied Physics Chubu Institute Of Technology
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Kohmura Y
Department Of Physics Kanazawa University
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小原 真司
高輝度光科学セ
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Suzuki Yshiro
Department Of Applied Physics Faculty Of Engineering Tohoku University
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Suzuki Yoshio
Department Of Electronics Fukuoka Institute Of Technology
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Kokubun Masayoshi
Department Of Electronics Iwaki Meisei University
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鈴木 芳生
高輝度光科学研究セ
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小島 誠治
筑波大物質
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山本 直紀
東工大理
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粟濱 忠司
中部工大
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栗濱 忠司
中部工大
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小山 泰正
早大理工
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石川 英里
中部大工
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阿竹 徹
東工大工材研
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吉田 喜孝
いわき明星大理工
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鈴谷 賢太郎
原子力機構
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鈴谷 賢太郎
原研・放射光科学研究センター
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水木 純一郎
原子力機構
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高井 茂臣
東工大工材研
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濱野 明弘
住友金属
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山中 明生
千歳科技大
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山中 明生
北大電子研
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井上 久遠
北大電子研
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香村 芳樹
理研播磨研
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光井 俊治
帝京大学
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幡野 純
東理大院・基礎工
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森 茂生
東工大理
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清宮 義博
明星大学
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清宮 義博
明星大先端材料研
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清宮 義博
明星大理工
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香村 芳樹
理研・播磨研究所
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幡野 純
東京理大基礎工
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大嶋 健一
筑波大物工
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吉澤 秀治
明星大学
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吉澤 秀治
明星大理工
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光井 俊治
帝京大薬
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小島 誠治
筑波大学物質工学系
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HAMAZAKI Shin-ichi
Department of Electronics, Iwaki Meisei University
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Hamazaki Shinichi
Fukushima National College of Tech.
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Takashige Masaaki
Dept. of Electronics, Iwaki Meisei Univ.
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脇田 博美
信州大理
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下司 和男
いわき明星大理工
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齋藤 安俊
東工大原子炉研
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下司 和男
いわき明星大学・理工
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吉澤 秀治
明星大理工環境
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KOJIMA Seiji
Institute of Applied Physics, University of Tsukuba
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渡辺 修
いわき明星大
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坂寄 良知
いわき明星大
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Jang Min
Research Center For Dielectric And Advanced Matter Physics Pusan National University
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Jang M‐s
Pusan National Univ. Pusan Kor
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庄司 貴幸
筑波大物工
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鈴木 秀和
福島工業高等専門学校 電気工学科
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Kojima S
Institute Of Materials Science University Of Tsukuba
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鈴木 浩晃
いわき明星大理工
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羽賀 洋介
明星大理工
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国分 正剛
いわき明星大理工
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広瀬 篤志
福島工業高等専門学校 電気工学科
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中尾 剛
福島工業高等専門学校 電気工学科
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鈴木 良直
中部大工
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滕 永悉
中部大工
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山口 俊久
明星大
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月岡 正歪
無機材研
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勝又 春次
いわき明星大理工
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Kojima Seiji
Institute Of Applied Physics University Of Tsukuba
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張 敏守
釜山大
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大嶋 健一
筑波大
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HAGA Yousuke
Department of Electrical Engineering, Meisei University
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Min-Su JANG
Research Center for Dielectric and Advanced Matter Physics, Pusan National University
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YOSHIDA Ryou
Department of Electronics, Iwaki Meisei University
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SHIMIZU Fuminao
Department of Electronics, Iwaki Meisei University
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Kojima Seiji
Institute Of Applied Physics University Of Tukuba
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Haga Yousuke
Department Of Electrical Engineering Meisei University
-
Shimizu Fuminao
Department Of Electronic Engineering College Of Science And Engineering Iwaki Meisei University
-
Yoshida Ryou
Department Of Electronics Iwaki Meisei University
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Jang Min-su
Research Center For Dielectric And Advanced Matter Phvsics Pusan National Universty
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小島 達也
東京理大基礎工
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高重 正明
明星大学理工学部:いわき明星大学科学技術学部
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水木 純一郎
原子力機構量子ビーム
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Kojima Seiji
Institute For Solid State Physics University Of Tokyo
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高重 正明
明星大理工
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中尾 剛
福島工業高等専門学校電気工学科
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Kojima Seiji
Atomic Energy Research Institute Nihon University
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Kojima Seiji
Department Of Physics Nagoya University
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小島 誠治
筑波大学物理工学系
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国分 正剛
いわき明星大学理工
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香村 芳樹
理研播磨
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鈴木 芳生
高輝度光科学研究センター
著作論文
- 20pHS-1 (Rb_Cs_x)_2CdBr_4の相転移(20pHS 誘電体(硫安・TGS・水素結合系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 28aRB-7 Cs_2CdI_4のα-β相転移の時間依存性(28aRB 誘電体(TGS・硫安系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 28aRB-6 窒素ガス中で育成したRb_2CdI_4のチョクラルスキー法結晶の相転移(28aRB 誘電体(TGS・硫安系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 21pVE-10 強誘電体α-Rb_2CdI_4のチョクラルスキー結晶の誘電性と熱膨張(21pVE 誘電体(硫安系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 21pVE-9 チョクラルスキー法によるRb_2CdI_4のα結晶とβ結晶の育成と誘電性(21pVE 誘電体(硫安系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 28aYJ-3 Cs_2MnBr_4のα-β相転移の時間依存性(誘電体(TGS・硫安系),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 28aYJ-2 強誘電体K_2ZnI_4のチョクラルスキー法による結晶育成(誘電体(TGS・硫安系),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 29aXJ-2 アモルファスチタン酸ビスマスの構造解析
- 29a-YK-11 Ba_2NaNb_Ta_O_系の結晶育成の試み
- 2a-YF-11 A_2BTa_5O_(A=Ba, Sr, Ca, B=Na, K)の強誘電性の吟味
- 2a-YF-9 ビスマス層状酸化物の誘電特性
- 28a-YR-4 A_2BTa_5O_15(A=Ba, Sr, Ca, B=Na, K)の誘電特性
- 1p-A-9 DBP混晶系の誘電性
- 1a-A-13 Li_2Ge_7_(LGO) の圧電効果II
- 25a-ZC-12 DSP混晶系の圧電効果
- 24pYR-11 チタン酸ビスマスの作成法による結晶構造の変化(誘電体,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 29pXK-9 X線トポグラフィを用いたチタン酸バリウムのドメイン観察(誘電体)(領域10)
- 22pXA-6 放射光を用いたチタン酸バリウムのドメイン観察
- 29a-BPS-2 酸化物超伝導体を応用した磁気浮上走行III
- 13p-DJ-13 酸化物超伝導体を応用した磁気浮上走行 II
- 13p-DJ-12 酸化物超伝導体を応用した磁気浮上走行 I
- 27aYR-10 単斜晶系強誘電体TGSの極低温城までの熱膨張測定(誘電体,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- X-Ray Diffraction Topography on a BaTiO_3 Crystal (Condensed Matter : Electronic Structure, Electrical, Magnetic and Optical Properties)
- OS4(P)-6(OS04W0020) Ferroelectric Domain Observation by X-Ray Diffraction Topography
- 25a-S-4 BaZnGeO_4のV-VI相転移における熱的および誘電的挙動
- X-Ray Topography on Domain-Controlled BaTiO_3 Crystals
- 30a-YD-4 Ba_2NaNb_5O_15(BNN)の赤外測定
- 24pWY-9 混晶系(Rb_Cs_x)_2CdBr_4の相転移II(24pWY 硫安系・TGS・水素結合系,領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 二次元配列した電磁石上での酸化物超電導体の磁気浮上の観測
- 2種類の酸化物超伝導バルク材の重ね合わせによるピン止め力への影響
- 電磁石を用いた酸化物超伝導体の磁気浮上の検討
- 20aXA-4 強誘電体TGSの極低温域での熱膨張異常(誘電体,領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 2a-YF-10 ビスマス層状強誘電体のラマン散乱II
- 28a-YR-10 ビスマス層状強誘電体のラマン散乱
- HTSCサーフェイス・アクチュエータにおけるPDSを用いた励磁電流制御の試み
- 電磁石を用いた酸化物超伝導体の磁気浮上搬送の試み
- 磁気浮上走行応用を目的とした酸化物超伝導体の磁場特性
- 29pZM-11 風力加速を用いた超伝導体磁気浮上システムの検討
- 19aWE-11 結晶化度の異なるアモルファスBi_4Ti_3O_試料の誘電性
- 18aWE-10 SPMによる複雑な分域構造を持つBaTiO_3の表面の観察
- 30aYR-11 混晶系(Cs_Rb_x)_2HgI_4における誘電特性
- 28aYR-3 アモルファスBi_4Ti_3O_の誘電特性
- 23aYQ-13 超急冷アモルファスBi_4Ti_3O_の結晶化の観察 II
- 25aX-4 AFMによる三酸化タングステン等の表面構造の温度依存性観察
- 24aX-2 超急冷アモルファスBi_4Ti_3O_の結晶化の観察
- 22pX-2 Rb_2CdBr_4とRb_2HgBr_4の相転移
- 27pYJ-2 混晶系(Cs_Rb_x)_2Cdl_4の相転移 II
- 24pYJ-9 AFMによるBaTiO_3表面構造の温度依存性観察(II)
- 24pYJ-8 AFMによるロッシェル塩等の表面構造の温度依存性観察
- 31a-M-2 混晶系(Cs_Rb_x)_2CdI_4の相転移
- 28p-M-9 AFMによるBaTiO_3表面構造の温度依存性観察
- 26a-A-7 AFMを用いたWO_3分域構造の観察III
- 搬送機器に用いる超電導バルク材の電磁力の過渡特性
- 電磁石列平面上における酸化物超電導体の姿勢観察
- 永久磁石列と酸化物超電導バルク材に働く電磁力
- 29a-B-3 Ba_2NaNb_Ta_O_の強誘電的性質
- 29p-WB-10 内包・非内包フラーレン類の熱安定性
- 28aRB-5 A_3Li(SO_4)_2(A=NH_4,K)の相転移(28aRB 誘電体(TGS・硫安系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 21pVE-8 Rb_2CdBr_4の相転移の時間依存性(21pVE 誘電体(硫安系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 25pYE-8 Rb_2MnI_4のβ状態における相転移(誘電体(酸化物系),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 29a-YK-13 Ba_2NaNb_Ta_O_ の正方晶-不整合相転移
- 14a-J-2 Ba_2NaNb_Ta_O_のラマン散乱(II)
- 29a-B-4 Ba_2NaNb_Ta_O_のラマン散乱
- 27p-ZC-9 Ba_2NaNb_Ta_O_の誘電特性
- 30a-ZR-13 Li_2Ge_7O_(LGO)の圧電効果
- 31p-YK-8 Tl_2CoI_4の相転移
- 4a-YF-3 (Rb_xK_)_2ZnI_4混晶系の相転移
- 4a-YF-1 Tl_2BBr_4(B=Zn、Co)の相転移
- 31a-YR-13 Cs_2CoX_4(X=Cl、Br、I)の誘電率
- 31a-YR-12 K_2BI_4(B=Zn, Co)の相転移
- 12p-J-8 K_2ZnI_4の強誘電性の吟味
- 12p-J-7 Rb_2CoI_4の相転移
- 30a-YD-7 AFMによる誘電体表面の摩擦力像の観察
- 31a-B-1 AFMによる強誘電体分域の電場依存性の観察
- Nb, Ta含有Bi層状酸化物(2層)の誘電特性
- AFMによる非晶質PbTiO_3, LiNbO_3の結晶化過程の観察
- AFMによる単斜晶系結晶の表面観察
- 3a-R-7 AFMによるロッシェル塩のドメイン観察
- 29p-YD-4 AFMによるBaTiO_3の90°分域観察 II
- 29p-YD-3 AFMによるBaTiO_3の90°分域観察 I
- 21aTE-5 混晶系(K_Rb_x)_2ZnBr_4の相転移(誘電体,領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 26p-S-11 酢酸置換したDSPの圧力効果
- Dielectric Properties and Crystallization in Amorphous Bi_4Ti_3O_
- Dielectric Properties of Crystallization Process from Amorphous Bi_4Ti_3O_
- 30a-A-12 Rb_2XI_4(X=Mn, Fe) の相転移
- 25a-ZC-13 DBP混晶系の相転移
- 少子化時代の科学教育に思う
- 20aXA-6 混晶系(K_Rb_x)_2ZnBr_4の相転移(誘電体,領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 少子化時代の物理教育
- 23aZD-7 混晶系(Rb_Cs_x)_2MnI_4の相転移(23aZD 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 30pYA-8 Cs_2MnBr_4の相転移II(30pYA 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 19pYM-3 Cs_2MnI_4の相転移II(誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 27aYR-12 Cs_2FeI_4の相転移(誘電体,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 31a-YB-2 Cs_2HgX_4 (X=I, Br)の相転移
- バルク高温超電導体を用いた磁気浮上サーフェイスモータの試作
- 28p-ZR-10 DBPの酢酸置換効果 II
- 27p-ZR-2 K_2ZnBr_4のα-β相転移と熱膨張
- 27p-M-12 DBPの酢酸置換効果
- 27a-S-10 K_2ZnBr_4の相転移
- 26p-S-13 酢酸置換したDLPの相転移
- 26p-S-12 酢酸置換したDSPの熱膨張
- 14aTL-5 K_2ZnCl_4 におけるα-β相転移の存在の吟味 II(誘電体, 領域 10)
- 14aTL-4 Cs_2MnBr_4 の誘電特性(誘電体, 領域 10)
- 30aXK-10 混晶系(Rb_Cs_x)_2ZnI_4の相転移(誘電体)(領域10)
- 30aXK-9 強誘電体Rb_2Cdl_4の熱膨張(誘電体)(領域10)
- 20pXC-6 K_2ZnCl_4 におけるα-β相転移の存在の吟味
- 20pXC-1 Cs_2MnI_4 の相転移
- 31aXJ-7 混晶系 K_2Zn(Cl_I_x)_4 の相転移
- 19pWE-9 Tl_2CdBr_4とTl_2HgBr_4の誘電特性
- 強誘電体の分域構造と相転移
- 6p-F-7 AFMによる非晶質PbTiO_3の結晶グレイン成長過程観察
- 31a-B-2 AFMによるPbTiO_3及びPb_5Ge_3O_非晶質試料の結晶化の観察
- 実験技術 強誘電体の自発電気分極等の測定の極意
- 強誘電体の自発電気分極等の測定の極意(実験技術)
- 28aTM-8 チョクラルスキー法で育成した単斜晶系K_2ZnI_4の強誘電性と熱膨張(28aTM 水素結合系,硫安系・TGS系,その他,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 28aTM-7 In_2ZnCl_4の誘電特性(28aTM 水素結合系,硫安系・TGS系,その他,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 21aGN-6 チョクラルスキー法で育成した単斜晶系K_2ZnI_4の強誘電性と熱膨張II(21aGN 水素結合系,硫安系・TGS系,その他,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))