Takashige Masaaki | Department Of Electronics Iwaki Meisei University
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概要
関連著者
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高重 正明
いわき明星大科技
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Takashige Masaaki
Department Of Electronics Iwaki Meisei University
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Takashige Masaaki
Department Of Physics College Of Science Tokyo Institute Of Technology
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Takashige Masaaki
Institute For Solid State Physics The University Of Tokyo
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山口 俊久
明星大理工
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高重 正明
いわき明星大理工
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清水 文直
いわき明星大科技
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高重 正明
いわき明星大・理工
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清水 文直
いわき明星大・理工
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Shimizu Fumihiko
Department Of Applied Physics National Defense Academy
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山口 俊久
明星大学理工学部
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栗濱 忠司
中部大工
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山口 俊久
明星大・理工
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後藤 照顕
明星大院理工
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笠野 裕修
山口大理
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三好 烈麗
山口大院理工
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三好 烈麗
山口大理
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増山 博行
山口大理
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増山 博行
山口大 理
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笠野 裕修
山口大院理工
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中谷 訓幸
富山大院理工
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喜久田 寿郎
富山大院理工
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粟濱 忠司
中部工大
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栗濱 忠司
中部工大
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中谷 訓幸
富山大工
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喜久田 寿郎
富山大工
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石川 英里
中部大工
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鈴木 良直
中部大工
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滕 永悉
中部大工
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高重 正明
明星大学理工学部:いわき明星大学科学技術学部
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高重 正明
明星大理工
著作論文
- 20pHS-1 (Rb_Cs_x)_2CdBr_4の相転移(20pHS 誘電体(硫安・TGS・水素結合系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 28aRB-7 Cs_2CdI_4のα-β相転移の時間依存性(28aRB 誘電体(TGS・硫安系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 28aRB-6 窒素ガス中で育成したRb_2CdI_4のチョクラルスキー法結晶の相転移(28aRB 誘電体(TGS・硫安系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 21pVE-10 強誘電体α-Rb_2CdI_4のチョクラルスキー結晶の誘電性と熱膨張(21pVE 誘電体(硫安系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 21pVE-9 チョクラルスキー法によるRb_2CdI_4のα結晶とβ結晶の育成と誘電性(21pVE 誘電体(硫安系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 28aYJ-3 Cs_2MnBr_4のα-β相転移の時間依存性(誘電体(TGS・硫安系),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 28aYJ-2 強誘電体K_2ZnI_4のチョクラルスキー法による結晶育成(誘電体(TGS・硫安系),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 24pWY-9 混晶系(Rb_Cs_x)_2CdBr_4の相転移II(24pWY 硫安系・TGS・水素結合系,領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 20aXA-4 強誘電体TGSの極低温域での熱膨張異常(誘電体,領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 28aRB-5 A_3Li(SO_4)_2(A=NH_4,K)の相転移(28aRB 誘電体(TGS・硫安系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 21pVE-8 Rb_2CdBr_4の相転移の時間依存性(21pVE 誘電体(硫安系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 25pYE-8 Rb_2MnI_4のβ状態における相転移(誘電体(酸化物系),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 21aTE-5 混晶系(K_Rb_x)_2ZnBr_4の相転移(誘電体,領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 少子化時代の科学教育に思う
- 20aXA-6 混晶系(K_Rb_x)_2ZnBr_4の相転移(誘電体,領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 少子化時代の物理教育
- 強誘電体の分域構造と相転移
- 強誘電体の自発電気分極等の測定の極意(実験技術)
- 28aTM-8 チョクラルスキー法で育成した単斜晶系K_2ZnI_4の強誘電性と熱膨張(28aTM 水素結合系,硫安系・TGS系,その他,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 28aTM-7 In_2ZnCl_4の誘電特性(28aTM 水素結合系,硫安系・TGS系,その他,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 21aGN-6 チョクラルスキー法で育成した単斜晶系K_2ZnI_4の強誘電性と熱膨張II(21aGN 水素結合系,硫安系・TGS系,その他,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))