28aTM-8 チョクラルスキー法で育成した単斜晶系K_2ZnI_4の強誘電性と熱膨張(28aTM 水素結合系,硫安系・TGS系,その他,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
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概要
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- 2011-03-03
著者
-
清水 文直
いわき明星大科技
-
山口 俊久
明星大理工
-
高重 正明
いわき明星大科技
-
後藤 照顕
明星大院理工
-
三好 烈麗
山口大院理工
-
笠野 裕修
山口大理
-
三好 烈麗
山口大理
-
高重 正明
いわき明星大理工
-
山口 俊久
明星大学理工学部
-
笠野 裕修
山口大院理工
-
山口 俊久
明星大・理工
-
Shimizu Fumihiko
Department Of Applied Physics National Defense Academy
-
Takashige Masaaki
Department Of Electronics Iwaki Meisei University
-
Takashige Masaaki
Institute For Solid State Physics The University Of Tokyo
-
Takashige Masaaki
Department Of Physics College Of Science Tokyo Institute Of Technology
-
高重 正明
いわき明星大・理工
-
清水 文直
いわき明星大・理工
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