Observation of Crystallization Process from Amorphous Bi_4Ti_3O_<12> Prepared by Rapid Quenching Method

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人応用物理学会の論文
• 2000-09-30

著者

• 清水 文直

  いわき明星大科技

• Takahashi Yoshio

  Department Of Cardiology Mie University Graduate School Of Medicine

• TAKAHASHI Yoshikazu

  Ibaraki Prefectural University of Health Sciences

• Takahashi Y

  Ulvac Japan Ltd. Ibaraki Jpn

• TAKASHIGE Masaaki

  Department of Electronics, Iwaki Meisei University

• Takahashi Yoshihiro

  Department Of Applied Physics School Of Engineering Tohoku University

• Takahashi Y

  Ntt Basic Research Laboratories Ntt Cornoration

• KOJIMA Seiji

  Institute of Applied Physics, University of Tsukuba

• Jang M

  Pusan National Univ. Pusan Kor

• Jang Min-su

  Research Center For Dielectric And Advanced Matter Physics Pusan National University

• Jang Min

  Research Center For Dielectric And Advanced Matter Physics Pusan National University

• Takahashi Y

  Tanaka Solid Junction Project Erato Japan Science And Research Corporation

• Kojima S

  Institute Of Materials Science University Of Tsukuba

• Kojima Seiji

  Institute Of Applied Physics University Of Tsukuba

• Shimizu Fumihiko

  Department Of Applied Physics National Defense Academy

• Takahashi Yoichi

  Department Of Nuclear Engineering Faculty Of Engineering University Of Tokyo

• Takashige Masaaki

  Department Of Electronic Engineering College Of Science And Engineering Iwaki Meisei University

• Sinichi Hamazaki

  Department Of Electronics Iwaki Meisei University

• Hamazaki Shin-ichi

  Fukushima National College Of Technology

• Takahashi Yukihiro

  Central Research Laboratory Matsushita Electric Industrial Co. Ltd.

• HAMAZAKl Sinichi

  Department of Electironics, Iwaki Meisei University

• SHIMIZAU Fuminao

  Department of Electironics, Iwaki Meisei University

• YAMAGUCHI Toshihisa

  Department of Electrical Engineering, Meisei University

• HAMAZAKI Sinichi

  Department of Electronics, Iwaki Meisei University

• Takahashi Y

  Department Of Applied Physics School Of Engineering Tohoku University

• Takahashi Yoshinori

  Division Of Electrical Electronic And Information Engineering Osaka University

• Kojima Seiji

  Institute Of Applied Physics University Of Tukuba

• Takahashi Y

  National Inst. Animal Health Ibaraki Jpn

• Jang M

  Department Of Physics Pusan National University

• Jang Min-su

  Research Center For Dielectric And Advanced Matter Phvsics Pusan National Universty

• Takahashi Y

  Department Of Molecular & Materials Sciences Kyushu University

• Yamaguchi Toshihisa

  Department Of Applied Physics Chubu Institute Of Technology

• Kojima Seiji

  Institute For Solid State Physics University Of Tokyo

• Takahashi Yoshio

  Department Of Agricultural Chemistry The University Of Tokyo

• Kojima Seiji

  Atomic Energy Research Institute Nihon University

• Kojima Seiji

  Department Of Physics Nagoya University

関連論文

• 20pHS-1 (Rb_Cs_x)_2CdBr_4の相転移(20pHS 誘電体(硫安・TGS・水素結合系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 20pHS-2 (NH_4)_3K(SO_4)_2の結晶育成と相転移(20pHS 誘電体(硫安・TGS・水素結合系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 28aRB-7 Cs_2CdI_4のα-β相転移の時間依存性(28aRB 誘電体(TGS・硫安系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 28aRB-6 窒素ガス中で育成したRb_2CdI_4のチョクラルスキー法結晶の相転移(28aRB 誘電体(TGS・硫安系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• Tl2ZnI4群強誘電体(続)特にα-β相転移と過冷却性について
• 21pVE-10 強誘電体α-Rb_2CdI_4のチョクラルスキー結晶の誘電性と熱膨張(21pVE 誘電体(硫安系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 21pVE-9 チョクラルスキー法によるRb_2CdI_4のα結晶とβ結晶の育成と誘電性(21pVE 誘電体(硫安系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 28aYJ-4 NH_4B ZnY_4(B=Cs or Rb, Y=Cl or Br)の結晶育成と相転移(誘電体(TGS・硫安系),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 28aYJ-3 Cs_2MnBr_4のα-β相転移の時間依存性(誘電体(TGS・硫安系),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 28aYJ-2 強誘電体K_2ZnI_4のチョクラルスキー法による結晶育成(誘電体(TGS・硫安系),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 1a-A-13 Li_2Ge_7_(LGO) の圧電効果II
• 25a-ZC-12 DSP混晶系の圧電効果
• 27aYR-10 単斜晶系強誘電体TGSの極低温城までの熱膨張測定(誘電体,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
• 25a-S-4 BaZnGeO_4のV-VI相転移における熱的および誘電的挙動
• 24pWY-9 混晶系(Rb_Cs_x)_2CdBr_4の相転移II(24pWY 硫安系・TGS・水素結合系,領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• Sr2GeS4型物質とβ-K2SO4型物質とその混晶系
• Observation of the Crystallization Process from Amorphous PbTiO_3 and Pb_5Ge_3O_ by Atomic Force Microscopy
• 20aXA-4 強誘電体TGSの極低温域での熱膨張異常(誘電体,領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 1p-YD-7 粉末X線回折から見たCS_2ZnI_4の第I-II相転移II
• 5p-F-8 粉末X線回折から見たCs_2ZnI_4の第I-II相転移
• 29pZM-11 風力加速を用いた超伝導体磁気浮上システムの検討
• 18aWE-10 SPMによる複雑な分域構造を持つBaTiO_3の表面の観察
• 30aYR-11 混晶系(Cs_Rb_x)_2HgI_4における誘電特性
• 28aYR-3 アモルファスBi_4Ti_3O_の誘電特性
• 23aYQ-13 超急冷アモルファスBi_4Ti_3O_の結晶化の観察 II
• 25aX-4 AFMによる三酸化タングステン等の表面構造の温度依存性観察
• 24aX-2 超急冷アモルファスBi_4Ti_3O_の結晶化の観察
• 22pX-2 Rb_2CdBr_4とRb_2HgBr_4の相転移
• 27pYJ-2 混晶系(Cs_Rb_x)_2Cdl_4の相転移 II
• 24pYJ-9 AFMによるBaTiO_3表面構造の温度依存性観察(II)
• 24pYJ-8 AFMによるロッシェル塩等の表面構造の温度依存性観察
• 31a-M-2 混晶系(Cs_Rb_x)_2CdI_4の相転移
• 28p-M-9 AFMによるBaTiO_3表面構造の温度依存性観察
• 26a-A-7 AFMを用いたWO_3分域構造の観察III
• 28aRB-5 A_3Li(SO_4)_2(A=NH_4,K)の相転移(28aRB 誘電体(TGS・硫安系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 21pVE-8 Rb_2CdBr_4の相転移の時間依存性(21pVE 誘電体(硫安系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 21pVE-7 NH_4BZnY_4(B=Li or K,Y=Cl or Br)の育成と相転移(21pVE 誘電体(硫安系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 25pYE-7 RbLiCdBr_4の相転移(誘電体(酸化物系),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 25pYE-8 Rb_2MnI_4のβ状態における相転移(誘電体(酸化物系),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 24aYE-12 BサイトがHでないA_3B(XY_4)_2型誘電体結晶の育成と物性評価(誘電体(水素結合),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• Tl2ZnI4群強誘電体とその混晶系
• 27p-ZC-9 Ba_2NaNb_Ta_O_の誘電特性
• 30a-ZR-13 Li_2Ge_7O_(LGO)の圧電効果
• Phase Transitions of Ba_2NaNb_Ta_O_
• Ferroelectricity in Barium Sodium Tantalate Ba_2NaTa_5O_15
• Note on the Phase Diagram of Ba_2NaNb_Ta_O_
• 31p-YK-8 Tl_2CoI_4の相転移
• 4a-YF-3 (Rb_xK_)_2ZnI_4混晶系の相転移
• 4a-YF-1 Tl_2BBr_4(B=Zn、Co)の相転移
• 31a-YR-13 Cs_2CoX_4(X=Cl、Br、I)の誘電率
• 31a-YR-12 K_2BI_4(B=Zn, Co)の相転移
• 12p-J-8 K_2ZnI_4の強誘電性の吟味
• 12p-J-7 Rb_2CoI_4の相転移
• Rb2HgBr4の結晶構造
• NH4LiSO4への6Li置換効果
• 3p-UB-10 {N(CH_3)_4}_2NiCl_4の相転移
• 30a-YD-7 AFMによる誘電体表面の摩擦力像の観察
• 31a-B-1 AFMによる強誘電体分域の電場依存性の観察
• Nb, Ta含有Bi層状酸化物(2層)の誘電特性
• AFMによる非晶質PbTiO_3, LiNbO_3の結晶化過程の観察
• AFMによる単斜晶系結晶の表面観察
• 3a-R-7 AFMによるロッシェル塩のドメイン観察
• 29p-YD-4 AFMによるBaTiO_3の90°分域観察 II
• 29p-YD-3 AFMによるBaTiO_3の90°分域観察 I
• 21aTE-5 混晶系(K_Rb_x)_2ZnBr_4の相転移(誘電体,領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• Observation of Crystallization Process from Amorphous Bi_4Ti_3O_ Prepared by Rapid Quenching Method
• Temperature Dependent Surface Images of BaTiO_3 Observed by Atomic Force Microscopy
• Dielectric Properties of Crystallization Process from Amorphous Bi_4Ti_3O_
• AFM Observation of 90°Domains of BaTiO_3 under Application of an Electric Field
• Atomic Force Microscope Observation of Ferroelectrics: Barium Titanate and Rochelle Salt
• AFM Observation of 90°Domains of BaTiO_3 Butterfly Crystals
• 30a-A-12 Rb_2XI_4(X=Mn, Fe) の相転移
• 25a-ZC-13 DBP混晶系の相転移
• 20aXA-6 混晶系(K_Rb_x)_2ZnBr_4の相転移(誘電体,領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 23aZD-7 混晶系(Rb_Cs_x)_2MnI_4の相転移(23aZD 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 30pYA-8 Cs_2MnBr_4の相転移II(30pYA 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 19pYM-3 Cs_2MnI_4の相転移II(誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 27aYR-12 Cs_2FeI_4の相転移(誘電体,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
• 5p-X-2 Rb_2ZnCl_4群強誘電体の分極反転II
• 29a-L-7 K_2CoBr_4の強誘電性
• 29a-L-6 K_2CoCl_4の強誘電性 II
• 29a-L-5 K_2CoCl_4の強誘電性 I
• 26p-L-1 Czochralski法によるRbLiSO_4結晶
• 3p-UB-12 Rb_2CoCl_4の強誘電性
• 2p-D-3 N(CH_3)_4HSO_4の結晶構造I
• 2p-D-2 N(CH_3)_4HSO_4の強誘電性
• 2a-D-2 (NH_2CH_2COOH)_3・H_2ZnCl_4の強誘電性の吟味
• 31a-YB-2 Cs_2HgX_4 (X=I, Br)の相転移
• 28p-ZR-10 DBPの酢酸置換効果 II
• 27p-ZR-2 K_2ZnBr_4のα-β相転移と熱膨張
• 27p-M-12 DBPの酢酸置換効果
• 27a-S-10 K_2ZnBr_4の相転移
• 26p-S-13 酢酸置換したDLPの相転移
• 26p-S-12 酢酸置換したDSPの熱膨張
• 14aTL-5 K_2ZnCl_4 におけるα-β相転移の存在の吟味 II(誘電体, 領域 10)
• 14aTL-4 Cs_2MnBr_4 の誘電特性(誘電体, 領域 10)
• 30aXK-10 混晶系(Rb_Cs_x)_2ZnI_4の相転移(誘電体)(領域10)
• 30aXK-9 強誘電体Rb_2Cdl_4の熱膨張(誘電体)(領域10)
• 20pXC-6 K_2ZnCl_4 におけるα-β相転移の存在の吟味
• 20pXC-1 Cs_2MnI_4 の相転移

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク