X-Ray Topography on Domain-Controlled BaTiO_3 Crystals
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physicsの論文
- 2004-09-30
著者
-
高重 正明
いわき明星大科技
-
YONEDA Yasuhiro
Synchrotron Radiation Research Center, Japan Atomic Energy Research Institute
-
KOHMURA Yoshiki
Harima Institute, RIKEN
-
SUZUKI Yoshio
Synchrotron Radiation Research Laboratory, Japan Synchrotron Radiation Research Institute
-
TAKASHIGE Masaaki
Department of Electronics, Iwaki Meisei University
関連論文
- 20pHS-1 (Rb_Cs_x)_2CdBr_4の相転移(20pHS 誘電体(硫安・TGS・水素結合系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 28aRB-7 Cs_2CdI_4のα-β相転移の時間依存性(28aRB 誘電体(TGS・硫安系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 28aRB-6 窒素ガス中で育成したRb_2CdI_4のチョクラルスキー法結晶の相転移(28aRB 誘電体(TGS・硫安系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 21pVE-10 強誘電体α-Rb_2CdI_4のチョクラルスキー結晶の誘電性と熱膨張(21pVE 誘電体(硫安系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 21pVE-9 チョクラルスキー法によるRb_2CdI_4のα結晶とβ結晶の育成と誘電性(21pVE 誘電体(硫安系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 28aYJ-3 Cs_2MnBr_4のα-β相転移の時間依存性(誘電体(TGS・硫安系),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 28aYJ-2 強誘電体K_2ZnI_4のチョクラルスキー法による結晶育成(誘電体(TGS・硫安系),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 29aXJ-2 アモルファスチタン酸ビスマスの構造解析
- 29a-YK-11 Ba_2NaNb_Ta_O_系の結晶育成の試み
- 2a-YF-11 A_2BTa_5O_(A=Ba, Sr, Ca, B=Na, K)の強誘電性の吟味
- 2a-YF-9 ビスマス層状酸化物の誘電特性
- 28a-YR-4 A_2BTa_5O_15(A=Ba, Sr, Ca, B=Na, K)の誘電特性
- 1p-A-9 DBP混晶系の誘電性
- 1a-A-13 Li_2Ge_7_(LGO) の圧電効果II
- 25a-ZC-12 DSP混晶系の圧電効果
- 24pYR-11 チタン酸ビスマスの作成法による結晶構造の変化(誘電体,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 29pXK-9 X線トポグラフィを用いたチタン酸バリウムのドメイン観察(誘電体)(領域10)
- 22pXA-6 放射光を用いたチタン酸バリウムのドメイン観察
- 29a-BPS-2 酸化物超伝導体を応用した磁気浮上走行III
- 13p-DJ-13 酸化物超伝導体を応用した磁気浮上走行 II
- 13p-DJ-12 酸化物超伝導体を応用した磁気浮上走行 I
- 27aYR-10 単斜晶系強誘電体TGSの極低温城までの熱膨張測定(誘電体,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- X-Ray Diffraction Topography on a BaTiO_3 Crystal (Condensed Matter : Electronic Structure, Electrical, Magnetic and Optical Properties)
- OS4(P)-6(OS04W0020) Ferroelectric Domain Observation by X-Ray Diffraction Topography
- 25a-S-4 BaZnGeO_4のV-VI相転移における熱的および誘電的挙動
- X-Ray Topography on Domain-Controlled BaTiO_3 Crystals
- 30a-YD-4 Ba_2NaNb_5O_15(BNN)の赤外測定
- 24pWY-9 混晶系(Rb_Cs_x)_2CdBr_4の相転移II(24pWY 硫安系・TGS・水素結合系,領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 二次元配列した電磁石上での酸化物超電導体の磁気浮上の観測
- 2種類の酸化物超伝導バルク材の重ね合わせによるピン止め力への影響
- 電磁石を用いた酸化物超伝導体の磁気浮上の検討
- 20aXA-4 強誘電体TGSの極低温域での熱膨張異常(誘電体,領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 2a-YF-10 ビスマス層状強誘電体のラマン散乱II
- 28a-YR-10 ビスマス層状強誘電体のラマン散乱
- HTSCサーフェイス・アクチュエータにおけるPDSを用いた励磁電流制御の試み
- 電磁石を用いた酸化物超伝導体の磁気浮上搬送の試み
- 磁気浮上走行応用を目的とした酸化物超伝導体の磁場特性
- 29pZM-11 風力加速を用いた超伝導体磁気浮上システムの検討
- 19aWE-11 結晶化度の異なるアモルファスBi_4Ti_3O_試料の誘電性
- 18aWE-10 SPMによる複雑な分域構造を持つBaTiO_3の表面の観察
- 30aYR-11 混晶系(Cs_Rb_x)_2HgI_4における誘電特性
- 28aYR-3 アモルファスBi_4Ti_3O_の誘電特性
- 23aYQ-13 超急冷アモルファスBi_4Ti_3O_の結晶化の観察 II
- 25aX-4 AFMによる三酸化タングステン等の表面構造の温度依存性観察
- 24aX-2 超急冷アモルファスBi_4Ti_3O_の結晶化の観察
- 22pX-2 Rb_2CdBr_4とRb_2HgBr_4の相転移
- 27pYJ-2 混晶系(Cs_Rb_x)_2Cdl_4の相転移 II
- 24pYJ-9 AFMによるBaTiO_3表面構造の温度依存性観察(II)
- 24pYJ-8 AFMによるロッシェル塩等の表面構造の温度依存性観察
- 31a-M-2 混晶系(Cs_Rb_x)_2CdI_4の相転移
- 28p-M-9 AFMによるBaTiO_3表面構造の温度依存性観察
- 26a-A-7 AFMを用いたWO_3分域構造の観察III
- 搬送機器に用いる超電導バルク材の電磁力の過渡特性
- 電磁石列平面上における酸化物超電導体の姿勢観察
- 永久磁石列と酸化物超電導バルク材に働く電磁力
- 29a-B-3 Ba_2NaNb_Ta_O_の強誘電的性質
- 29p-WB-10 内包・非内包フラーレン類の熱安定性
- 28aRB-5 A_3Li(SO_4)_2(A=NH_4,K)の相転移(28aRB 誘電体(TGS・硫安系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 21pVE-8 Rb_2CdBr_4の相転移の時間依存性(21pVE 誘電体(硫安系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 25pYE-8 Rb_2MnI_4のβ状態における相転移(誘電体(酸化物系),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 29a-YK-13 Ba_2NaNb_Ta_O_ の正方晶-不整合相転移
- 14a-J-2 Ba_2NaNb_Ta_O_のラマン散乱(II)
- 29a-B-4 Ba_2NaNb_Ta_O_のラマン散乱
- 27p-ZC-9 Ba_2NaNb_Ta_O_の誘電特性
- 30a-ZR-13 Li_2Ge_7O_(LGO)の圧電効果
- 31p-YK-8 Tl_2CoI_4の相転移
- 4a-YF-3 (Rb_xK_)_2ZnI_4混晶系の相転移
- 4a-YF-1 Tl_2BBr_4(B=Zn、Co)の相転移
- 31a-YR-13 Cs_2CoX_4(X=Cl、Br、I)の誘電率
- 31a-YR-12 K_2BI_4(B=Zn, Co)の相転移
- 12p-J-8 K_2ZnI_4の強誘電性の吟味
- 12p-J-7 Rb_2CoI_4の相転移
- 30a-YD-7 AFMによる誘電体表面の摩擦力像の観察
- 31a-B-1 AFMによる強誘電体分域の電場依存性の観察
- Nb, Ta含有Bi層状酸化物(2層)の誘電特性
- AFMによる非晶質PbTiO_3, LiNbO_3の結晶化過程の観察
- AFMによる単斜晶系結晶の表面観察
- 3a-R-7 AFMによるロッシェル塩のドメイン観察
- 29p-YD-4 AFMによるBaTiO_3の90°分域観察 II
- 29p-YD-3 AFMによるBaTiO_3の90°分域観察 I
- 21aTE-5 混晶系(K_Rb_x)_2ZnBr_4の相転移(誘電体,領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 26p-S-11 酢酸置換したDSPの圧力効果
- Dielectric Properties and Crystallization in Amorphous Bi_4Ti_3O_
- Dielectric Properties of Crystallization Process from Amorphous Bi_4Ti_3O_
- 30a-A-12 Rb_2XI_4(X=Mn, Fe) の相転移
- 25a-ZC-13 DBP混晶系の相転移
- 少子化時代の科学教育に思う
- 20aXA-6 混晶系(K_Rb_x)_2ZnBr_4の相転移(誘電体,領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 少子化時代の物理教育
- 23aZD-7 混晶系(Rb_Cs_x)_2MnI_4の相転移(23aZD 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 30pYA-8 Cs_2MnBr_4の相転移II(30pYA 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 19pYM-3 Cs_2MnI_4の相転移II(誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 27aYR-12 Cs_2FeI_4の相転移(誘電体,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 31a-YB-2 Cs_2HgX_4 (X=I, Br)の相転移
- バルク高温超電導体を用いた磁気浮上サーフェイスモータの試作
- 28p-ZR-10 DBPの酢酸置換効果 II
- 27p-ZR-2 K_2ZnBr_4のα-β相転移と熱膨張
- 27p-M-12 DBPの酢酸置換効果
- 27a-S-10 K_2ZnBr_4の相転移
- 26p-S-13 酢酸置換したDLPの相転移