純酸素中でのグラファイトレーザーアブレーションによるダイヤモンド薄膜合成
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2001-01-01
著者
関連論文
- 集束イオンビーム加工によるサファイヤ基板上のナノステップ制御
- a,b軸配向エピタキシャルBi_4Ti_3O_12基薄膜の合成と特性評価
- マグネシウム合金のトライボロジー特性向上に関する研究 : ケイ素含有炭素薄膜を中間層とするDLC薄膜コーティング
- チオフェンを原料とする硫黄ドープアモルファス炭素薄膜のCVD合成
- レーザーMBE法による機能性セラミックス薄膜の室温エピタキシャル成長
- 319 炭素系薄膜を用いた太陽光発電素子の試作(OS 薄膜特性)
- 原子ステップ表面を利用した酸化物ナノ結晶の作製(ナノ結晶)
- レーザーMBE法による磁性酸化物の原子層制御とナノ構造の構築
- 金属酸化物超平坦表面のナノ構造評価と応用
- 黒鉛からサファイア上にダイヤモンド薄膜を創る
- 純酸素中でのグラファイトレーザーアブレーションによるダイヤモンド薄膜の水素フリー気相合成
- 28a-ZG-6 近接場顕微鏡によるポリシランナノストラクチャーの観測
- 酸化物ネオエレクトロニクスをめざした表面・界面の原子レベル制御の新展開
- ZnOエピタキシャル薄膜のc軸極性の同定 (特集 多様な電子機能をもつ酸化亜鉛の新展開)
- CAICISS(同軸型直衝突イオン散乱分光法)を用いた単結晶の最表面原子層制御
- 26p-YR-14 La_Sr_XMnO_3のSTM/STS観察
- 26a-YN-4 ポリシラン分子の紫外近接場顕微鏡像
- イオンプレーティングC_フラーレン薄膜の摩擦特性と膜強度
- ポリシランの電子状態と分子形態
- 研究室紹介 東京工業大学応用セラミックス研究所--鯉沼・吉本研究室
- 純酸素中でのグラファイトレーザーアブレーションによるダイヤモンド薄膜合成
- 22pPSA-103 単結晶サファイヤc面上の超薄膜シュウ酸鉄2水和物の積層構造(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- X線逆格子イメージング法を用いた表界面ナノ構造評価
- 15a-B-8 Total Yield SpectroscopyによるC_薄膜の電子状態の観察
- YBCO薄膜の結晶成長と粒子発生機構
- レーザMBE法による酸化物単結晶薄膜の室温合成
- X線逆格子イメージング法によるナノ材料の迅速評価
- ス-パ-セラミックス--プロセス,機能,構造から究極のセラミックスをめざす (ス-パ-材料学--新しい発想に基づく材料研究の最前線)
- レーザーMBE法による無限層酸化物薄膜の二次元エピタキシャル成長と電気特性制御
- セラミック超格子の可能性
- 高温超伝導薄膜研究の進展
- ス-パ-ファインセラミックス化学の展開 (1989年の化学-8-)
- 酸化物薄膜の原子層制御と量子機能性セラミックスへの展開
- インプリント用ダイヤモンド膜の開発
- 高速スキャンニングCWレーザ・アニーリングを用いたシリコン基板温度変化の有限要素法による考察