レーザーMBE法による無限層酸化物薄膜の二次元エピタキシャル成長と電気特性制御

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概要

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新超伝導体探索の観点から、レーザーMBE法を用いて、酸化物高温超伝導体の母体構造を有する無限層酸化物BaCuO_2の2次元エピタキシャル成長、および分子層制御によるキャリアー注入特性について検討した。BaCuO_2薄膜の堆積中、単位格子層2次元エピタキシャル成長に基づくRHEED強度振動を観測した。BaCuO2へのNa^+(p-type)及びCe^4+>(n-type)を使った、均一ドープ、δドープ、分子層変調ドープの3種類の方法において、キャリアー注入が有効に行われることを確認した。特にNaドープBaCuO_2層とノンドープBaCuO_2層からなる分子層レベルでのキャリアー変調超格子において、各単層膜が半導的伝導特性を示すにもかかわらず、超格子膜では、金属的電導挙動に変化することを見いだした。
社団法人電子情報通信学会の論文
1994-02-16

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