MOCVD法によるPLZT超薄膜の作製とDRAMキャパシターとしての基礎特性

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 電気学会の論文

著者

• 後藤 英雄

  中部大学大学院工学研究科電気電子工学専攻

• 佐藤 厚

  中部大

• 佐藤 厚

  中部大学工学部応用化学学科

• 後藤 英雄

  中部大

• 岡田 勝

  中部大 工

• 岡田 勝

  中部大

関連論文

• 有機金属気相成長法によって作製したZnSe膜中におけるバナジウムの状態
• PE-9 アンチモンドープセレン化亜鉛の光音響分光法による評価
• 3-212 中部大学電気システム工学科における創成的学生実験の試み(口頭発表論文,オーガナイズドセッション「エンジニアリングデザイン」-V-デザイン科目研究(2))
• C-6-4 トリエトキシバナジルを用いたバナジウム添加ZnSe膜の作製と評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• 25 混炭燃焼におけるPM10の発生予測 : 石炭鉱物の分裂・合体モデルの開発(資源利用,クリーン化)
• 11.2種類の歴青炭の混炭によるPMの生成に関する研究
• 29.石炭燃焼におけるPM_10の発生に関するカルシウム化合物の影響
• ペルチェ電流リードにおける熱侵入のローレンツ数依存性
• ヘリウムフリーマグネットへのPCLの適応
• 超伝導マグネットの磁場極性反転のためのペルチェ電流リード用低温切替えスイッチの検討
• 直流通電におけるLN_2用ペルチェ電流リードの動作特性
• 電着法による In ドープn-CdTe半導体薄膜の作製と評価
• ペルチェ電流リードを用いた無冷媒マグネットの熱侵入の低減
• ヘリウムフリーマグネットを模擬した真空中でのPCLの適用
• 極性反転のためのペルチェ電流リード用低温切替えスイッチの検討
• 液体窒素環境におけるペルチェ電流リードの特性 : 実験および数値計算からの検討
• 交流通電における液体窒素用ペルチェ電流リードの動作特性
• 数値計算による, 低熱侵入ペルチェ電流リードの特性評価
• 低熱侵入ペルチェ電流リードの開発(2) : 液体ヘリウム環境での動作特性
• 低熱侵入ペルチェ電流リードの開発(1) : 液体窒素環境での動作特性
• 低熱侵入ペルチェ電流リードの開発(3) : 半波交流通電時での動作特性
• 交流超電導コイルの偏流特性に及ぼす強磁性材の影響
• 圧縮成型試料を詰めたBi-2223テープの超電導特性
• ロ-ル圧延法によるBi系高温超電導体の線材化
• 6-110 産学連携型創成実験による社会人基礎力の養成 : 応用化学における産学連携エンジニアデザイン教育の試み(口頭発表論文,(20)産学連携教育-I)
• 3-105 創成的手法を取り入れた導入科目と実験科目との連携 : 中部大学工学部応用化学科における創成科目の試み(口頭発表論文,オーガナイズドセッション「エンジニアリングデザイン」-II-デザイン教育システムと解析)
• 技術英語,一般英会話:何をどう学習するか-幼児・小学生・大学生・企業技術者のそれぞれの人に適した学習法は?-
• 環境重視のリサイクル社会と将来の電池工業--途上国での乾電池・小型二次電池の今後のあり方--アルカリマンガン二次電池をNi-Cd電池の代わりに
• 25.石炭ガス化複合発電プロセスのガス化炉リサイクルラインを循環する揮発性元素の挙動予測
• 2-5.還元雰囲気における石炭溶融灰の水冷壁面上への付着挙動に関する研究(Session(2)石炭利用)
• 石炭ガス化炉内における無機成分の高温挙動
• 10.フラックスを添加した石炭灰分の溶融性評価
• ZnSe系半導体の積層構造の作製と評価
• MnドープZnSeのMOVPE成長
• ビデオ撮影を通しての授業方法の改善 : 出張による授業撮影
• 66.Included/Excluded灰粒子の判別法の開発
• 96.高温ガス化条件における水冷壁への灰粒子の付着機構の解明 : モデル鉱物による初期付着機構の検討
• Bi系テ-プの超電導特性におよぼすBa添加の影響
• MOCVD法によるRuO2およびIrO2薄膜の強誘電体下部電極としての特性
• MOCVD法により生成したTa2O5薄膜の電気伝導
• MOCVD法により生成したTa2O5-Al2O3混合膜の性質
• CVDおよびスパッタリング法による酸化タンタル薄膜の性質
• ZnSeのLPE層の電気的特性
• MOCVD 法による LiNbO_3 薄膜の合成
• MOCVD法によるPLZT超薄膜のDRAMキャパシタ-としての基礎特性
• MOCVD法によるPLZT薄膜の組成とDRAMキャパシターとしての基礎特性
• 4-6.フラックスを添加した石炭灰分の溶融性評価(Session(4)資源変換)
• パイロット試験で採取されたセラミックフィルター集塵灰の焼結特性
• パイロット試験で採取されたセラミックフィルター集塵灰の焼結特性
• パイロット試験で採取されたセラミックフィルター集塵灰の物性評価
• 70.石炭と下水汚泥の混焼における灰粒子の挙動
• 6-10.下水汚泥の燃焼における灰分の溶融・揮発挙動に関する研究((3)燃焼の基礎と応用,Session 6 燃焼・熱利用)
• 78.脱硫剤を添加した高温脱硫特性に関する研究画像処理による灰粒子の挙動解析
• 51.高温ガス化条件における水冷壁に付着した灰粒子の粒径分布と灰組成との関係
• 78. Studies on Oxidation of Calcium Sulfide under an Advanced PFBC Cycle
• CaS 粒子の酸化反応に及ぼす反応温度, 酸素分圧, CaS 初期含有率および粒子径の影響
• CCSEM(Computer Controlled Scanning Electron Microscopy)による鉱物粒子組成・粒径分布測定法の開発
• 97.CaS酸化に関する研究 : 反応速度解析
• 28.石炭灰およびモデル鉱物粒子の高温挙動に関する研究
• 1-17.石炭灰の溶融に関する熱力学的検討(Session(1)石炭利用)
• 2-6.アドバンストPFBCにおけるCaSの酸化反応に関する研究(Session(2)石炭利用)
• 水素ガス検知におよぼす電極金属の効果
• リン酸塩ガラス系透明導電膜の特性におよぼす原料の影響
• ZnSeの結晶構造におよぼすバナジウム添加の効果
• 二酸化スズ焼結体の水素検知特性の粒径依存性
• 酸化スズ酸化亜鉛混合焼結体の水素ガス中の電気伝導
• Cd1-xMnxTeのMOVPE成長におけるSb処理効果
• Sb添加Cd1-xMnxTeのMOVPE成長と評価
• MOVPE成長したSb添加ZnSeの電気的評価
• アンチモンを添加したZnSeのMOVPE成長
• 半導体の結晶成長と評価
• MnドープZnSeのMOVPE成長
• MOVPE成長させたNドープZnSe膜中の Deep Level
• 常圧MOCVD法によるPbTiO_3薄膜の合成
• MOCVD法により生成したTa2O5薄膜の電気伝導
• PZT 系強誘電体薄膜の化学気相成長
• C-10-15 ビスエチルシクロペンタジニエルバナジウムを用いたV添加ZnSe膜の作製と評価(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• Ta2O5およびAl2O3薄膜のエリプソメトリー
• 教員のICT活用による教育力向上の取り組み : 中部大学の事例
• 電気システム工学科ホームページの授業への活用
• 電気システム工学科基礎実験室における電子錠の設置とその運用状況
• MOCVD法によるPLZT超薄膜の作製とDRAMキャパシターとしての基礎特性
• MOVPE法によるV添加ZnSeの磁気的・結晶学的評価
• C-6-2 GaAs基板表面のSb処理によるCd_Mn_xTe膜の結晶性改善(C-6.電子部品・材料,エレクトロニクス2)
• C-6-1 Ni-SbドープCdMnTe構造の電圧電流特性(C-6.電子部品・材料,エレクトロニクス2)
• Vを添加したZnSeのMOVPE成長と評価
• Vを添加したZnSeの作製と評価
• MOVPE法による高濃度Sb添加ZnSeの作製とその評価
• 25aC08 Sbを高濃度ドーピングしたZnSeのMOVPE成長と評価(結晶評価・その場観察(2),第34回結晶成長国内会議)
• MOVPE 法による Sb ドープ ZnSe 膜の成長 : エピタキシー I
• イオン選択性電極を用いた改良標準添加法
• ハロゲン化物イオン選択性電極電位におよぼすpHの影響
• イオン選択性電極の選択係数の決定
• RuO2およびIrO2薄膜の強誘電体下部電極としての特性
• MOCVD法によるPLZT強誘電体超薄膜の形成とその電気的特性
• イオン選択性電極の選択係数の決定
• 電気システム工学科ホームページの授業への活用
• 電気システム工学科基礎実験室における電子錠の設置とその運用状況
• 流動層燃焼条件におけるCaSの酸化反応機構
• MOVPE成長させたNド-プZnSe膜中のDeep Level

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク