Vを添加したZnSeの作製と評価
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概要
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V-doped ZnSe films were epitaxially grown on GaAs(100) substrate by using metal-organic vapor phase epitaxial method in an atmospheric pressure. Ferromagnetic curie temperature of V-doped ZnSe was theoretically predicted to be above room temperature. The vanadium concentration in ZnSe and the crystallinity evaluated from FWHM of ZnSe(400) peak intensity are investigated by using EDX and XRD, respectively.
- 中部大学の論文
- 2004-12-15
著者
-
井戸 敏之
中部大学工学部電気工学科
-
田橋 正浩
中部大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
-
後藤 英雄
中部大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
-
井戸 敏之
中部大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
-
後藤 英雄
中部大
-
後藤 英雄
中部大学
-
伊藤 慎介
中部大学工学部
-
稲垣 貴樹
中部大学工学部
-
田橋 正浩
電気システム工学科
-
伊藤 慎介
電気電子工学専攻大学院
-
稲垣 貴樹
電気電子工学専攻大学院
-
井戸 敏之
電気システム工学科
-
後藤 英雄
電気システム工学科
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