ZnSe系半導体の積層構造の作製と評価

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概要

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• This paper is on the hetero-epitaxial growth of ZnSe based II-VI semiconductors on GaAs(100) substrate. The alternating layers of ZnSe and Mn-doped ZnSe (ZnSe:Mn), which attract much interest as the diluted magnetic semiconductor, were well grown by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE). The film was characterized by the photoluminescence (PL). The photoluminescence from the cleaved cross section shows the alteration of the layer. The molar fraction of Mn to the group II element was no more than 1%.

• 中部大学の論文
• 2002-12-15

著者

• 井戸 敏之

  中部大学工学部電気工学科

• 後藤 英雄

  中部大学大学院工学研究科電気電子工学専攻

• 井戸 敏之

  中部大学大学院工学研究科電気電子工学専攻

• 後藤 英雄

  中部大

• 島田 誠

  電気工学専攻大学院:(現)(株)アルファシステムズ

• 後藤 英雄

  電気工学科

• 井戸 敏之

  電気工学専攻大学院

• 後藤 英雄

  中部大学

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