Y-Ba-Cu-O系高温超電導体のマイスナ-効果
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- Nd-Fe-B系ボンド磁石の不完全着磁状態における経時変化
- PE-9 アンチモンドープセレン化亜鉛の光音響分光法による評価
- C-6-4 トリエトキシバナジルを用いたバナジウム添加ZnSe膜の作製と評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- Nd-Fe-B系焼結磁石の不完全着磁状態における経時変化
- ペルチェ電流リードにおける熱侵入のローレンツ数依存性
- ヘリウムフリーマグネットへのPCLの適応
- 超伝導マグネットの磁場極性反転のためのペルチェ電流リード用低温切替えスイッチの検討
- 直流通電におけるLN_2用ペルチェ電流リードの動作特性
- ペルチェ電流リードを用いた無冷媒マグネットの熱侵入の低減
- ヘリウムフリーマグネットを模擬した真空中でのPCLの適用
- 極性反転のためのペルチェ電流リード用低温切替えスイッチの検討
- 液体窒素環境におけるペルチェ電流リードの特性 : 実験および数値計算からの検討
- 交流通電における液体窒素用ペルチェ電流リードの動作特性
- 数値計算による, 低熱侵入ペルチェ電流リードの特性評価
- 低熱侵入ペルチェ電流リードの開発(2) : 液体ヘリウム環境での動作特性
- 低熱侵入ペルチェ電流リードの開発(1) : 液体窒素環境での動作特性
- 低熱侵入ペルチェ電流リードの開発(3) : 半波交流通電時での動作特性
- 交流超電導コイルの偏流特性に及ぼす強磁性材の影響
- 圧縮成型試料を詰めたBi-2223テープの超電導特性
- ロ-ル圧延法によるBi系高温超電導体の線材化
- 静磁界を用いた CVD 用プラズマ源の開発
- ZnSe系半導体の積層構造の作製と評価
- Bi系超電導体における添加物の臨界電流密度に与える効果
- Bi系テ-プの超電導特性におよぼすBa添加の影響
- Bi系酸化物高温超電導体の液相エピタキシャル成長 : 超伝導酸化物
- MOCVD法により生成したTa2O5薄膜の電気伝導
- CVDおよびスパッタリング法による酸化タンタル薄膜の性質
- 異方性Srフェライト磁石の磁気特性
- 等方性Ca系フェライト磁石の磁気特性に及ぼすPbF2置換の影響
- 等方性Srフェライト磁石の磁気特性及び製造法
- Nd-Fe-B系薄帯の瞬間結晶化制御による超高性能磁石の開発
- 等方性並びに異方性Ca-La-Pb系フェライト磁石の磁気特性
- Y-Ba-Cu-O系超電導体の電気抵抗による臨界温度の測定
- MOVPE成長したSb添加ZnSeの電気的評価
- アンチモンを添加したZnSeのMOVPE成長
- 半導体の結晶成長と評価
- Bi系超電導体における添加物の臨界電流密度に与える効果
- C-10-15 ビスエチルシクロペンタジニエルバナジウムを用いたV添加ZnSe膜の作製と評価(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- MOVPE法によるV添加ZnSeの磁気的・結晶学的評価
- C-6-2 GaAs基板表面のSb処理によるCd_Mn_xTe膜の結晶性改善(C-6.電子部品・材料,エレクトロニクス2)
- C-6-1 Ni-SbドープCdMnTe構造の電圧電流特性(C-6.電子部品・材料,エレクトロニクス2)
- Vを添加したZnSeのMOVPE成長と評価
- MOVPE成長したSbドープZnSeおよびZn1-xMnxSeの結晶学的評価
- Vを添加したZnSeの作製と評価
- MOVPE法による高濃度Sb添加ZnSeの作製とその評価
- 25aC08 Sbを高濃度ドーピングしたZnSeのMOVPE成長と評価(結晶評価・その場観察(2),第34回結晶成長国内会議)
- MOVPE 法による Sb ドープ ZnSe 膜の成長 : エピタキシー I
- Bi系酸化物超電導体の焼結とJcに及ぼす成形圧効果
- サイリスタ順変換ブリッジと〓ukコンバ-タを組み合せた電力回生制御
- Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O系超電導体におよぼすSb,Mn酸化物の添加効果
- 徐冷法によるBi系高温超電導単結晶の作成
- Y-Ba-Cu-O系高温超電導体のマイスナー効果
- Y-Ba-Cu-O系超電導体の電気抵抗による臨界温度の測定
- 銀添加YBa2Cu3Oy超電導体の電気的特性
- 絶縁劣化検出装置 II
- MOCVD法により作成したZnSeエピタキシャル膜の拡散長及び深い準位の評価
- 電力系統の電流高調波を低減するフォワードコンバータの提案
- Bi系酸化物超電導体の焼結とJcに及ぼす成形圧効果
- Y-Ba-Cu-O系高温超電導体のマイスナ-効果
- 異方性Ca-La系フェライト磁石の諸特性に及ぼすPb酸化物置換の影響
- MOVPE成長させたNド-プZnSe膜中のDeep Level
- 絶縁劣化検出装置-2-
- SBPV法によるn型ZnSeのホ-ルの拡散長の測定