25aC08 Sbを高濃度ドーピングしたZnSeのMOVPE成長と評価(結晶評価・その場観察(2),第34回結晶成長国内会議)
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概要
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ZnSe with highly-doped Sb were grown on GaAs (100) substrates by MOVPE and characterization was done by XRD, ESCA, and SIMS. The reason why a hole concentration is lower by two orders than an Sb one is the creation of SbZn, Sb_2Se_3 and the occupation of Sb on a Zn site.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2004-08-25
著者
-
井戸 敏之
中部大学工学部電気工学科
-
田橋 正浩
中部大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
-
後藤 英雄
中部大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
-
井戸 敏之
中部大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
-
後藤 英雄
中部大
-
後藤 英雄
中部大学
-
稲垣 貴樹
中部大学工学部
-
井戸 敏之
中部大院工
-
稲垣 貴樹
中部大院工
-
田橋 正浩
中部大院工
-
後藤 英雄
中部大院工
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