後藤 英雄 | 中部大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
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概要
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後藤 英雄
中部大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
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後藤 英雄
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後藤 英雄
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中部大学工学部電気工学科
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中部大
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中部大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
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中部大学
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中村 圭二
中部大学
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中村 圭二
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奥村 晴彦
三重大
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池澤 俊治郎
中部大学
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中部大学工学部電気システム工学科
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松岡 良輔
中部大
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池澤 俊治郎
中部大学工学部
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馬場 清英
中部大学工学部
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池澤 俊治郎
中部大
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寺田 弘
中部大学
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馬場 清英
中部大
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松阪大学
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飯吉 厚夫
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山口 貴行
中部大
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山口 作太郎
中部大
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中部大 工
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中部大
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林 洋司
中部大
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長谷川 靖洋
埼玉大学
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田橋 正浩
中部大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
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三重大学
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長谷川 靖洋
埼玉大院
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石郷岡 猛
成蹊大
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後藤 英雄
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名古屋大学
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中部大学工学部
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佐藤 堅
アラサット
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中部大学工学部
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澤田 里美
中部大学工学部電気システム工学科
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後藤 英雄
中部大学大学院工学研究科
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田橋 正浩
中部大学工学部電気システム工学科
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稲垣 貴樹
中部大学工学部
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長谷川 靖洋
埼大工
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大瀧 直浩
中部大学工学部電気工学科
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木村 誠宏
KEK
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石郷 岡猛
成蹊大学
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二ノ宮 晃
成蹊大学
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松岡 良輔
中部大学
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二ノ宮 晃
成蹊大学工学部電気電子工学科
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中部大学工学部応用化学科
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大瀧 直浩
中部大
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中部大学 工学部
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中部大 総工研
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中部大学工学部
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後藤 英雄
電気システム工学科
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武村 昌昭
中部大
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田橋 正浩
中部大学大学院工学研究科
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馬場 清英
中部大学
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野中 聡
旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
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金井 直樹
北見赤十字病院耳鼻咽喉科・頭頸部外科
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山口 作太郎
核融合科学研究所
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佐々木 淳
中部大学
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守本 純
防衛大機能材料
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大渕 康弘
防衛大材料
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中部大学
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川村 邦明
前川製作所
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河原 敏男
防衛大材料
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守本 純
防衛大材料
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中部大工
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櫻田 修
岐阜大学
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大植 稔
中部大
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青木 五男
ジェック東理社
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中部大
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廣塚 功
中部大学工学部電気システム工学科
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浜辺 誠
中部大
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高橋 誠
中部大学応用化学科
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宮内 俊幸
中部大学工学部応用化学科
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岐阜県セラミックス研究所
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SRRC
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エクセル
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脇田 紘一
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中部大
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木村 誠宏
松阪大
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中部大学
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中部大学
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高山 定次
岐阜県生産情報技術研究所
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長谷川 靖洋
イオン工学研究所
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寺田 弘
中部大学工学部電気工学科
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河原 敏男
大阪大産研
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佐藤 厚
中部大学工学部応用化学学科
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中部大学
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島田 誠
電気工学専攻大学院:(現)(株)アルファシステムズ
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中部大 工
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後藤 英雄
電気工学科
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井戸 敏之
電気工学専攻大学院
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林 洋司
中部大学 工学部 電気工学科
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林 洋司
中部大学工学部
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岡田 勝
中部大
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高橋 誠
中部大学 工学部
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井戸 敏之
中部大・工
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高橋 誠
中部大学大学院工学研究科
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飯沼 健司
中部大学大学院工学研究科
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田橋 正浩
電気システム工学科
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伊藤 慎介
電気電子工学専攻大学院
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稲垣 貴樹
電気電子工学専攻大学院
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井戸 敏之
中部大院工
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稲垣 貴樹
中部大院工
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田橋 正浩
中部大院工
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中部大院工
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田野井 務
中部大学工学部電気工学科
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高橋 誠
中部大学
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寺田 弘
中部大学工学部
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佐々木 淳
中部大
著作論文
- 有機金属気相成長法によって作製したZnSe膜中におけるバナジウムの状態
- PE-9 アンチモンドープセレン化亜鉛の光音響分光法による評価
- 3-212 中部大学電気システム工学科における創成的学生実験の試み(口頭発表論文,オーガナイズドセッション「エンジニアリングデザイン」-V-デザイン科目研究(2))
- C-6-4 トリエトキシバナジルを用いたバナジウム添加ZnSe膜の作製と評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- ペルチェ電流リードにおける熱侵入のローレンツ数依存性
- ヘリウムフリーマグネットへのPCLの適応
- 超伝導マグネットの磁場極性反転のためのペルチェ電流リード用低温切替えスイッチの検討
- 直流通電におけるLN_2用ペルチェ電流リードの動作特性
- 電着法による In ドープn-CdTe半導体薄膜の作製と評価
- ペルチェ電流リードを用いた無冷媒マグネットの熱侵入の低減
- ヘリウムフリーマグネットを模擬した真空中でのPCLの適用
- 極性反転のためのペルチェ電流リード用低温切替えスイッチの検討
- 液体窒素環境におけるペルチェ電流リードの特性 : 実験および数値計算からの検討
- 交流通電における液体窒素用ペルチェ電流リードの動作特性
- 数値計算による, 低熱侵入ペルチェ電流リードの特性評価
- 低熱侵入ペルチェ電流リードの開発(2) : 液体ヘリウム環境での動作特性
- 低熱侵入ペルチェ電流リードの開発(1) : 液体窒素環境での動作特性
- 低熱侵入ペルチェ電流リードの開発(3) : 半波交流通電時での動作特性
- 交流超電導コイルの偏流特性に及ぼす強磁性材の影響
- 圧縮成型試料を詰めたBi-2223テープの超電導特性
- ロ-ル圧延法によるBi系高温超電導体の線材化
- ZnSe系半導体の積層構造の作製と評価
- Bi系テ-プの超電導特性におよぼすBa添加の影響
- 酸化スズ酸化亜鉛混合焼結体の水素ガス中の電気伝導
- Cd1-xMnxTeのMOVPE成長におけるSb処理効果
- MOVPE成長したSb添加ZnSeの電気的評価
- アンチモンを添加したZnSeのMOVPE成長
- 半導体の結晶成長と評価
- C-10-15 ビスエチルシクロペンタジニエルバナジウムを用いたV添加ZnSe膜の作製と評価(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- MOCVD法によるPLZT超薄膜の作製とDRAMキャパシターとしての基礎特性
- MOVPE法によるV添加ZnSeの磁気的・結晶学的評価
- C-6-2 GaAs基板表面のSb処理によるCd_Mn_xTe膜の結晶性改善(C-6.電子部品・材料,エレクトロニクス2)
- C-6-1 Ni-SbドープCdMnTe構造の電圧電流特性(C-6.電子部品・材料,エレクトロニクス2)
- Vを添加したZnSeのMOVPE成長と評価
- Vを添加したZnSeの作製と評価
- MOVPE法による高濃度Sb添加ZnSeの作製とその評価
- 25aC08 Sbを高濃度ドーピングしたZnSeのMOVPE成長と評価(結晶評価・その場観察(2),第34回結晶成長国内会議)
- MOVPE 法による Sb ドープ ZnSe 膜の成長 : エピタキシー I
- MOVPE成長させたNド-プZnSe膜中のDeep Level