MOVPE法による高濃度Sb添加ZnSeの作製とその評価

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

• Sb-doped ZnSe epitaxial layers were grown on (100) GaAs substrates by MOVPE using DMZn, DMSe, and TESb in atmospheric pressure. In order to investigate the behaviour of Sb, photoluminescence, four-crystal X-ray diffractometer, secondary ion mass spectrometry, and X-ray photoelectron spectroscopy were used. With the increase of TESb, deep emission peaked at 550nm becomes predominant. The origin seems to be a Zn vacancy and a deep level related to Sb. XPS shows that the bond of Sb-Se increases with increasing TESb. It is made clear that an Sb atom not only occupies on the anti-site but also makes compounds such as Sb_2Se_3 and/or the deep acceptor when the Sb-doing becomes high. That is why the effective acceptor concentration remains less than 10^<17>/cm^3.

• 中部大学の論文
• 2004-12-15

著者

• 井戸 敏之

  中部大学工学部電気工学科

• 後藤 英雄

  中部大学大学院工学研究科電気電子工学専攻

• 井戸 敏之

  中部大学大学院工学研究科電気電子工学専攻

• 後藤 英雄

  中部大

• 後藤 英雄

  中部大学

• 井戸 敏之

  電気システム工学科

• 後藤 英雄

  電気システム工学科

関連論文

• 有機金属気相成長法によって作製したZnSe膜中におけるバナジウムの状態
• PE-9 アンチモンドープセレン化亜鉛の光音響分光法による評価
• 3-212 中部大学電気システム工学科における創成的学生実験の試み(口頭発表論文,オーガナイズドセッション「エンジニアリングデザイン」-V-デザイン科目研究(2))
• C-6-4 トリエトキシバナジルを用いたバナジウム添加ZnSe膜の作製と評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• ペルチェ電流リードにおける熱侵入のローレンツ数依存性
• ヘリウムフリーマグネットへのPCLの適応
• 超伝導マグネットの磁場極性反転のためのペルチェ電流リード用低温切替えスイッチの検討
• 直流通電におけるLN_2用ペルチェ電流リードの動作特性
• 電着法による In ドープn-CdTe半導体薄膜の作製と評価
• ペルチェ電流リードを用いた無冷媒マグネットの熱侵入の低減
• ヘリウムフリーマグネットを模擬した真空中でのPCLの適用
• 極性反転のためのペルチェ電流リード用低温切替えスイッチの検討
• 液体窒素環境におけるペルチェ電流リードの特性 : 実験および数値計算からの検討
• 交流通電における液体窒素用ペルチェ電流リードの動作特性
• 数値計算による, 低熱侵入ペルチェ電流リードの特性評価
• 低熱侵入ペルチェ電流リードの開発(2) : 液体ヘリウム環境での動作特性
• 低熱侵入ペルチェ電流リードの開発(1) : 液体窒素環境での動作特性
• 低熱侵入ペルチェ電流リードの開発(3) : 半波交流通電時での動作特性
• 交流超電導コイルの偏流特性に及ぼす強磁性材の影響
• 圧縮成型試料を詰めたBi-2223テープの超電導特性
• ロ-ル圧延法によるBi系高温超電導体の線材化
• ZnSe系半導体の積層構造の作製と評価
• MnドープZnSeのMOVPE成長
• ビデオ撮影を通しての授業方法の改善 : 出張による授業撮影
• Bi系テ-プの超電導特性におよぼすBa添加の影響
• Bi系酸化物高温超電導体の液相エピタキシャル成長 : 超伝導酸化物
• MOCVD法により生成したTa2O5薄膜の電気伝導
• CVDおよびスパッタリング法による酸化タンタル薄膜の性質
• MOCVD法によるPLZT薄膜の組成とDRAMキャパシターとしての基礎特性
• Y-Ba-Cu-O系超電導体の電気抵抗による臨界温度の測定
• 水素ガス検知におよぼす電極金属の効果
• リン酸塩ガラス系透明導電膜の特性におよぼす原料の影響
• ZnSeの結晶構造におよぼすバナジウム添加の効果
• 二酸化スズ焼結体の水素検知特性の粒径依存性
• 酸化スズ酸化亜鉛混合焼結体の水素ガス中の電気伝導
• Cd1-xMnxTeのMOVPE成長におけるSb処理効果
• Sb添加Cd1-xMnxTeのMOVPE成長と評価
• MOVPE成長したSb添加ZnSeの電気的評価
• アンチモンを添加したZnSeのMOVPE成長
• 半導体の結晶成長と評価
• MnドープZnSeのMOVPE成長
• MOVPE成長させたNドープZnSe膜中の Deep Level
• C-10-15 ビスエチルシクロペンタジニエルバナジウムを用いたV添加ZnSe膜の作製と評価(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• 教員のICT活用による教育力向上の取り組み : 中部大学の事例
• 電気システム工学科ホームページの授業への活用
• 電気システム工学科基礎実験室における電子錠の設置とその運用状況
• MOCVD法によるPLZT超薄膜の作製とDRAMキャパシターとしての基礎特性
• MOVPE法によるV添加ZnSeの磁気的・結晶学的評価
• C-6-2 GaAs基板表面のSb処理によるCd_Mn_xTe膜の結晶性改善(C-6.電子部品・材料,エレクトロニクス2)
• C-6-1 Ni-SbドープCdMnTe構造の電圧電流特性(C-6.電子部品・材料,エレクトロニクス2)
• Vを添加したZnSeのMOVPE成長と評価
• MOVPE成長したSbドープZnSeおよびZn1-xMnxSeの結晶学的評価
• Vを添加したZnSeの作製と評価
• MOVPE法による高濃度Sb添加ZnSeの作製とその評価
• 25aC08 Sbを高濃度ドーピングしたZnSeのMOVPE成長と評価(結晶評価・その場観察(2),第34回結晶成長国内会議)
• MOVPE 法による Sb ドープ ZnSe 膜の成長 : エピタキシー I
• Bi系酸化物超電導体の焼結とJcに及ぼす成形圧効果
• Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O系超電導体におよぼすSb,Mn酸化物の添加効果
• 徐冷法によるBi系高温超電導単結晶の作成
• Y-Ba-Cu-O系高温超電導体のマイスナー効果
• Y-Ba-Cu-O系超電導体の電気抵抗による臨界温度の測定
• 銀添加YBa2Cu3Oy超電導体の電気的特性
• MOCVD法により作成したZnSeエピタキシャル膜の拡散長及び深い準位の評価
• Bi系酸化物超電導体の焼結とJcに及ぼす成形圧効果
• Y-Ba-Cu-O系高温超電導体のマイスナ-効果
• 電気システム工学科ホームページの授業への活用
• 電気システム工学科基礎実験室における電子錠の設置とその運用状況
• MOVPE成長させたNド-プZnSe膜中のDeep Level
• SBPV法によるn型ZnSeのホ-ルの拡散長の測定

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク