MOCVD法により生成したTa2O5薄膜の電気伝導
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- PE-9 アンチモンドープセレン化亜鉛の光音響分光法による評価
- C-6-4 トリエトキシバナジルを用いたバナジウム添加ZnSe膜の作製と評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- 圧縮成型試料を詰めたBi-2223テープの超電導特性
- ロ-ル圧延法によるBi系高温超電導体の線材化
- ZnSe系半導体の積層構造の作製と評価
- Bi系テ-プの超電導特性におよぼすBa添加の影響
- Bi系酸化物高温超電導体の液相エピタキシャル成長 : 超伝導酸化物
- MOCVD法によるRuO2およびIrO2薄膜の強誘電体下部電極としての特性
- MOCVD法により生成したTa2O5薄膜の電気伝導
- MOCVD法により生成したTa2O5-Al2O3混合膜の性質
- CVDおよびスパッタリング法による酸化タンタル薄膜の性質
- ZnSeのLPE層の電気的特性
- MOCVD 法による LiNbO_3 薄膜の合成
- MOCVD法によるPLZT超薄膜のDRAMキャパシタ-としての基礎特性
- MOCVD法によるPLZT薄膜の組成とDRAMキャパシターとしての基礎特性
- CaS 粒子の酸化反応に及ぼす反応温度, 酸素分圧, CaS 初期含有率および粒子径の影響
- 2-6.アドバンストPFBCにおけるCaSの酸化反応に関する研究(Session(2)石炭利用)
- Bi2223系超電導体に銀添加した場合の超電導特性に及ぼす影響
- 絶縁物添加によるBi系超電導体の臨界電流密度の改善
- Y-Ba-Cu-O系超電導体の電気抵抗による臨界温度の測定
- MOVPE成長したSb添加ZnSeの電気的評価
- アンチモンを添加したZnSeのMOVPE成長
- 半導体の結晶成長と評価
- MOVPE成長させたNドープZnSe膜中の Deep Level
- Bi系超電導体における添加物の臨界電流密度に与える効果
- 常圧MOCVD法によるPbTiO_3薄膜の合成
- ZnSe中の欠陥濃度の熱力学的考察
- マイクロコンピュータの分光測定への応用
- SBPV法によるn型ZnSeのホールの拡散長の測定
- MOCVD法により生成したTa2O5薄膜の電気伝導
- Electrical Properties of Zinc Selenide Grown from Ga Solution
- ZnSe中の欠陥濃度の熱力学的考察 : エピタキシーII
- PZT 系強誘電体薄膜の化学気相成長
- C-10-15 ビスエチルシクロペンタジニエルバナジウムを用いたV添加ZnSe膜の作製と評価(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- MOCVD法によるPLZT超薄膜の作製とDRAMキャパシターとしての基礎特性
- MOVPE法によるV添加ZnSeの磁気的・結晶学的評価
- C-6-2 GaAs基板表面のSb処理によるCd_Mn_xTe膜の結晶性改善(C-6.電子部品・材料,エレクトロニクス2)
- C-6-1 Ni-SbドープCdMnTe構造の電圧電流特性(C-6.電子部品・材料,エレクトロニクス2)
- Vを添加したZnSeのMOVPE成長と評価
- MOVPE成長したSbドープZnSeおよびZn1-xMnxSeの結晶学的評価
- Vを添加したZnSeの作製と評価
- MOVPE法による高濃度Sb添加ZnSeの作製とその評価
- 25aC08 Sbを高濃度ドーピングしたZnSeのMOVPE成長と評価(結晶評価・その場観察(2),第34回結晶成長国内会議)
- MOVPE 法による Sb ドープ ZnSe 膜の成長 : エピタキシー I
- Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O系超電導体におよぼすSb,Mn酸化物の添加効果
- 徐冷法によるBi系高温超電導単結晶の作成
- 銀添加YBa2Cu3Oy超電導体の電気的特性
- MOCVD法により作成したZnSeエピタキシャル膜の拡散長及び深い準位の評価
- ハロゲン化物イオン選択性電極電位におよぼすpHの影響
- イオン選択性電極の選択係数の決定
- Bi系酸化物超電導体の焼結とJcに及ぼす成形圧効果
- Y-Ba-Cu-O系高温超電導体のマイスナ-効果
- MOVPE成長させたNド-プZnSe膜中のDeep Level
- SBPV法によるn型ZnSeのホ-ルの拡散長の測定