絶縁物添加によるBi系超電導体の臨界電流密度の改善
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- Bi系超電導体における添加物の臨界電流密度に与える効果
- Bi系酸化物高温超電導体の液相エピタキシャル成長 : 超伝導酸化物
- MOCVD法によるRuO2およびIrO2薄膜の強誘電体下部電極としての特性
- MOCVD法により生成したTa2O5薄膜の電気伝導
- MOCVD法により生成したTa2O5-Al2O3混合膜の性質
- CVDおよびスパッタリング法による酸化タンタル薄膜の性質
- ZnSeのLPE層の電気的特性
- Bi2223系超電導体に銀添加した場合の超電導特性に及ぼす影響
- 絶縁物添加によるBi系超電導体の臨界電流密度の改善
- MOVPE成長させたNドープZnSe膜中の Deep Level
- Bi系超電導体における添加物の臨界電流密度に与える効果
- ZnSe中の欠陥濃度の熱力学的考察
- マイクロコンピュータの分光測定への応用
- SBPV法によるn型ZnSeのホールの拡散長の測定
- MOCVD法により生成したTa2O5薄膜の電気伝導
- Electrical Properties of Zinc Selenide Grown from Ga Solution
- ZnSe中の欠陥濃度の熱力学的考察 : エピタキシーII
- MOVPE 法による Sb ドープ ZnSe 膜の成長 : エピタキシー I
- Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O系超電導体におよぼすSb,Mn酸化物の添加効果
- ZnSe中の欠陥濃度の熱力学的考察
- マイクロコンピュ-タの分光測定への応用